Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 34 35 36 37 38 39 40... 423 424 425
|
|
|
|
ЮО f 2 W : 3 ' -7 0,2 D,4 0,6 D,8h,fim Рис. 2.8. Распределение температуры в слое аморфного кремния, облученного импульсами продолжительностью SO не неодимового лазера с плотностью энергии 2,0 Дж/см^ (а) и рубинового лазера с плотностью энергии 1,9 Дж/см^ (5). Температура оценивалась через 40 и 130 не после облучения Рис. 2.9. Зависимость средней скорости движения межфазной границы Vpoct для о слоя расплавленного кремния толщиной 1000 А от продолжительности импульса Тнмп: / — предел диффузионной скорости носителей; 2 — коэффициент поглощения ультрафиолетового излучения; 3, 4~ коэффициент поглощения излучения рубинового лазера в аморфном и кристаллическом кремнии соответственно [27] Гдд/К2jDtnfl. Время существования жидкой фазы почти эквивалентно продолжительности импульса для плотностей энергии выше пороговой энергии отжига. С увеличеппеи плотности энергии время существования жидкой фазы возрастает, а скорость кристаллизации уменьшается. В кремнии скорость движения границы между твердой и жидкой фазами достигает нескольких метров в секунду. Для случая а-1У^2Дт„д скорость кристаллизации не зависит от продолжительности импульса, поскольку температурный градиент определяется поглощением, т. е. дТ/дг^ТилО./в, Результаты подробных расчетов показаны па рис. 2.9. Приведена зависимость средней скорости движения границы между твердой фазой и расплавом для расплавленного слоя толщиной 1000 А от продолжительности импульса в интервале 0,5... 100 не для трех различных коэффициентов поглощения, которые соответствуют поглощению ультрафиолетового излучения монокристаллом кремния, поглощению излучения рубинового лазера аморфным слоем крем-кия толщиной 1000 А, поглощению излучения рубинового лазера в монокристалле кремния. Скорость пропорциональна xj^^^ при облучении аморфного кремния импульсами рубинового лазера продолжительностью более 10 НС. При более коротких импульсах ско 36
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 34 35 36 37 38 39 40... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
