Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 332 333 334 335 336 337 338... 423 424 425
|
|
|
|
Е,МэВ Рис. 11.25. Спектры обратного рассеяния для системы Al/Sb/Al: / — до облучения; 2, 5 — после облучения пучком ионов ксенона энергией 400 кэВ соответственно с дозами 4-10'^ см-2 „ 12-10's см-^ при температуре 300 К ИОНОВ ксенона энергией 400 кэВ. Рассеяние ионов (рис, 11.24, б) показывает, что каскады столкновений вызывают движение атомов сурьмы в подложку алюминия и, наоборот, перемещение атомов алюминия в пленку сурьмы. В реальных экспериментах пленку сурьмы покрывали тонким слоем алюминия, чтобы предотвратить распыление образованного слоя. Слой окисла алюминия на поверхности обусловливает очень низкий коэффициент распыления. При температурах, равных комнатной и ниже нее, атомы алюминия быстро мигрируют через пленку сурьмы, и их концентрация возрастает с увеличением дозы ионов ксенона. Одновременно "хвост" сурьмы гораздо меньшей концентрации перемешивается с алюминиевой подложкой. На рис. 11.25 показано изменение спектра обратного рассеяния ионов гелия энергией 1,4 МэВ после облучения ионами ксенона "сандвича", состоящего из пленки алюминия толщиной 260 А и пленки сурьмы толщиной 460 А на кристалле алюминия, ориентированном в направлении (110), Степень смещения атомов алюминия с сурьмой составляет примерно 15 А1/Хе, в то время как сурьмы с алюминием только 0,5 Sb/Xe при 300 К. Нижний спектр сурьмы на рис. 11.25 соответствует сплаву AlSb состава примерно 50:50, и просвечивающая электронная микроскопия многослойных пленок показывает, что только интерметаллическая фаза AlSb действительно может формироваться при перемешивании пучком ионов ксенона. В противоположность этому имплантация ионов сурьмы энергией 50 кэВ в алюминий [36] дает максимальную концентрацию сурьмы в сплаве менее 30%, что связано с распылением. Таким образом, одним из достоинств использования ионно-лучевого перемешивания поверхностных слоев является образование высококонцентрированных сплавов. Кроме того, когда степень смешения, определенная отношением числа атомов к числу налетающих частиц, заметно больше единицы (как в упомянутом выше случае 15 А1/Хе), значительно уменьшается число имплантированных ионов (и время имплантации). Это может быть существенным в случае высоких доз, часто необходимых для металлургических приложений. 334
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 332 333 334 335 336 337 338... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
