Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 331 332 333 334 335 336 337... 423 424 425
|
|
|
|
твердого раствора, например поликристаллический слой также может быть метастабильным твердым раствором. И, наконец, отметим, что существуют промежуточные ситуации. Выделения могут забирать на себя из раствора только часть растворенного вещества; часть растворенного вещества может сегрегировать к поверхности, оставляя другую часть в растворе; в части слоя сплава минимальная концентрация для аморфизации может превышаться, в то время как в остальной части — нет. Кроме того, изолированный раствор в решетке матрицы может слегка изменять позиции атомов в совершенной решетке, например, в результате взаимодействия дефектов. Одним или несколькими из этих эффектов можно объяснить, почему сплавы, подобные Al(Ni) и Al(Sn) (см. табл 11.2), не являются полностью замещенными. 11.5. Ионно-лучевое перемешивание и импульсное плавление слоев Альтернативным способом ионной имплантации по формированию поверхностных сплавов данного состава является нанесение на поверхность тонких слоев с дальнейшим перемешиванием этих слоев с подложкой. Перемешивание можно осуществить ионной бомбардировкой или импульсным плавлением поверхности (см. гл. 9 и 13). Термическое образование сплавов в подобных слоях может быть сильно ограничено такими факторами, как возникновение окисных барьеров, нежелательных промежуточных фаз, низких растворимостей и различие в температурах плавления. В данном параграфе для иллюстрации метода сильного перемешивания рассмотрим образование поверхностных сплавов в алюминии. На рис. 11.24, а показана схема перемешивания тонкой пленки сурьмы с монокристаллической подложкой из алюминия пучком Пленка 5Ь а; Г ~1 Ноцальнаи )^ пленка 5Ь ЗЬ В пленке Sb(Al) tf' ИоВая Поверхность граница о) Рис 11 24 Схема спектров рассеяния цонов гелия от пленки сурьмы на алюминии до (а) и после (б) перемещивйяйя ионным пучком 333
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 331 332 333 334 335 336 337... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
