Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 30 31 32 33 34 35 36... 423 424 425
|
|
|
|
Распределение температуры с разрешением во времени показано на рис. 2.4. Результаты были получены из распределения напряжений с использованием зависящих от температуры коэффициентов термического расширения. Обнаружено, что при 100 не температура поверхности равна 1150°С, в то время как при 195 не она равна 750°С. Эти результаты находятся в согласии с моделью плавления, указывая на ряд аспектов, которые не ожидались на основании вычислений. Так, нельзя было предполагать, что уменьшение температуры поверхности начнется только через 150 не после окончания лазерного импульса. При высоких температурах с поверхности мишени эмитируются заряженные частицы — электроны и положительные ионы, число которых зависит от температуры образца. Количества этих частиц измеряются при положительном (для электронов) или отрицатель-ком (для положительных ионов) напряжении в несколько киловольт относительно мишени. Не было обнаружено эмиссии заряженных частиц с поверхности кремния, облученного лазерными импульсами с плотностями энергии вблизи пороговой для перехода из аморфной фазы в монокристалл. При использовании энергии выше пороговой была зафиксирована эмиссия одинакового количества положительных и отрицательных частиц. Эти результаты указывают на то, что время релаксации энергии, установления равновесия хмежду электронами и фононами ^ 10"*^ с [26]. :2.2.3. Нагрев и охлаждение Предыдущее обсуждение показывает, что основной процесс лазерного облучения и отжига в ионно-имплантированных полупроводниках представляет собой выделение теплоты в результате поглощения света и охлаждения при ее отводе в подложку. Поглощенный свет немедленно превращается в теплоту, которая может рассеиваться в соответствии с теорией теплопроводности. Стадии нагрева и охлаждения могут быть определены численным решением уравнения теплопроводности, включающим слагаемое, учитывающее поглощение света на определенной глубине, изменение оптических и термических параметров с температурой, структуру облученного слоя и, наконец, скрытую теплоту, поглощенную или выделенную во время фазовых превращений [27]. Лазерный пучок распространяется вдоль оси г, нормальной к поверхности образца, однородной в плоскости х—у. Состав мишени однороден в этой плоскости и структурные изменения имеют место только в направлении г. Предположим, что поперечное сечение лазерного пучка намного больше, чем прогреваемая толщина образца, поэтому краевыми эффектами можно пренебречь. Тогда урав-БЄНИЄ теплопроводности запишем следующим образом: " Iiz,t)+^^(k^],(2.2) 32
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 30 31 32 33 34 35 36... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
