Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 314 315 316 317 318 319 320... 423 424 425
|
|
|
|
НИИ времени выделения AlSb зародышеобразованием. Учет времени роста дает для времени зародышеобразования AlSb в жидком алюминии значение 15±10 не |3]. Это, вероятно, первое измерение времени зарождения выделений в жидких металлах в наносекунд-ном интерв^іле времени. 11.3.5. Отжиг алюминия в разупорядоченном состоянии Ниже рассмотрено разупорядочение, наблюдающееся в алюминии после импульсного нагрева. Последовательно обсудим точечные дефекты, протяженные дефекты и образование аморфных фаз. Для начала отметим некоторые особенности кремния. В большинстве случаев у кремния после импульсного плавления наблюдается отчетливая эпитаксиальная перекристаллизация с минимальной концентрацией дефектов (см. гл, 3—5). Для эпитаксиальной перекристаллизации необходимо, чтобы глубина расплавленного слоя была больше толщины разупорядоченного имплантированного слоя, а скорость межфазной границы расплав — твердое тело была не очень велика (^5 м/с). Исследования с применением электронной микроскопии и эффекта каналирования показывают, что при подходящих параметрах импульсного отжига кристаллическая структура близка по совершенству к матрице кремния. Только высокие дозы определенных ионов, имплантированных в кремний, препятствуют процессам эпитаксиального роста, и подобрать режимы импульсного плавления, которые не оставляли бы заметного разупорядочения, достаточно трудно. В алюминии эпитаксиальная перекристаллизация после импульсного плавления также происходит, что, вероятно, является близкой аналогией с кремнием. Импульсный нагрев необработанных совершенных монокристаллов алюминия приводит к появлению разупорядоченности, В случае ионно-имплантированного алюминия результаты после импульсного нагрева сложнее объяснить. Эксперименты по каналированию могут свидетельствовать об увеличении либо об уменьшении Рис. 11.14. Спектры обратного рассеяния Уоб.рас (в относительных единицах) для кана-лированных при 3,5 Дж/см^ (3) и случайных {!) ориентации до (2) и после (3) импульсного (3,5 Дж/см^, 25 не) лазерного нагрева монокристаллов алюминия, имплантированных молибденом (а) и кадмием (б) ^а (Трас 17 а) 110 б) 300ю В Cd'' tl-IO^^Qmohh тоу 800ЮОО800 Е,кэВ ЮОО 316
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 314 315 316 317 318 319 320... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
