Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 310 311 312 313 314 315 316... 423 424 425
|
|
|
|
захватывают межузельные атомы алюминия, причем такие комплексы обычно менее стабильны [27, 28]. Так, в алюминии при комнатной температуре вакансии подвижны и, как было показано в [28], объединяются в кластеры вокруг атомов олова, введенных при ионном облучении. Такие кластеры смепдают атомы олова из замещающих положений в узлах кристаллической решетки. Кроме того, нерастворимые примеси могут взаимодействовать с дислокациями или другими протяженными дефектами и, покидая узлы кристаллической решетки, уменьшать свою свободную энергию, в отличие от большого количества дефектов, образованных каждым ионом при имплантации, только ^0,01% вакансий остается в решетке алюминия после закалки из жидкой фазы (см. п. 11.3.6). Таким образом, можно предположить, что для концентрации примесей ^1% почти все атомы находятся в областях, свободных от точечных дефектов. 11.3.4. Выделения вторичной фазы Образование выделений или мов в твердой фазе ограничено 500 1000 1500 2000 2500/і, А кластеров имплантированных ато-тем, что в процессе импульсного нагрева температура, при которой примеси подвижны, сохраняется на протяжении короткого времени, кроме того, коэффициент диффузии в твердой фазе ниже, чем в жидкой. Например, примеси замещения с типичным коэффициентом диффузии в высокотемпературной области ^10-^ cmVc при повышенных температурах за время -^10-^ с могут продиффунди-ровать на расстояние ^10 А. В противоположность этому коэффициент диффузии в жидкой фазе на много порядков выше (обычно 10~^ см^с), что сушественно увеличивает подвижность атомов и облегчает образование выделений в жидкой фазе. Отме Рис. 11.ШПрофили концентрации сурьмы Csb, имплантированной в алюминий до нагрева (/] и после импульсного электронного отжига (2) с плотностью энергии импульса 1,6 Дж/см^ (а) и до отжига (4) и после термического (печного) отжига (2) при 206°С в течение 30 мин (б) : 3 —профиль, рассчитанный при £1^=0,85Х X10-11 см2 312
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 310 311 312 313 314 315 316... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
