Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 302 303 304 305 306 307 308... 423 424 425
|
|
|
|
имеют равновесный коэффициент распределения (йо=растворимость в твердом состоянии/растворимость в жидком состоянии) меньше единицы, будут преимущественно оттесняться в жидкую фазу и их концентрация будет возрастать по направлению к поверхности при равновесном затвердевании с малыми скоростями охлаждения. Естественно, что для высоких скоростей движения межфазной границы твердое тело — расплав (1 ...3 м/с), наблюдающихся при импульсном плавлении, равновесные условия не выполняются и интенсивность сегрегации уменьшается. Этот интересный процесс роста кристаллов широко исследовался на кремнии и было обнаружено, что наблюдаемая сегрегация хорошо описывается эффективным, зависящим от скорости коэффициентом распределения k' (см. гл. 4 и работы [17, 18]). Ниже рассмотрим ситуацию для металлов, сравнивая алюминий с кремнием при одинаковом импульсном нагреве и равновесных условиях сегрегации. Равновесные фазовые диаграммы свидетельствуют об ухудшающейся растворимости олова в алюминии и кремнии с равновесными коэффициентами распределения ^4 -10~^ и 1 • 10~^ соответственно. Поэтому для сравнения протекания сегрегации в кремнии и алюминии после импульсного плавления в них было имплантировано олово с максимальной концентрацией 1% [4]. Применение импульсного нагрева электронным пучком в этом случае удобно^ поскольку при идентичных параметрах импульсов могут быть получены практически одинаковые профили распределения введенной энергии по глубине. Это было бы трудно получить, применяя: лазерное излучение, поскольку имеется сильное различие в глубине поглощения и коэффициентах отражения между металлами и полупроводниками. Как следует из рис. 11.2, в кремнии обнаруживается заметная сегрегация олова, что не наблюдается в алюминии. В последнем случае предполагалось слабое уширение профиля, обусловленное диффузией в жидкой фазе. Даже в кремнии интенсивность сегрегации меньше, чем для равновесных условий, характеризуемых величиной 10/ео = 0,16 [19]. Просвечивающая электронная микроскопия не показывает образования ячеек или присутствия другой фазы чистого олова. Сегрегация олова проявляется в кремнии, однако в алюминии она не обнаружена, несмотря на то, что равновесный коэффициент распределения йо для последнего меньше. Это неравномерное объединение имплантированных примесей в твердой фазе при перекристаллизации можно связать с их захватом на внутренних границах. Более полный захват олова на внутренних границах в алюминии свидетельствует о том, что примененный способ нагрева приводит к большей неравновесности в алюминии, чем в кремнии. Различие хода сегрегации в кремнии и алюминии можно качественно объяснить двумя основными факторами [4]. Во-первых, скорость движения межфазной границы Urp в кремнии значительно больше, чем в алюминии. На рис. 11.3 приведена зависимость глу 304
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 302 303 304 305 306 307 308... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
