Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 300 301 302 303 304 305 306... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 11.1. Различия при нагреве алюминия импульсными электронным (Э) и лазерным (Л) пучками [3, 15, 16] я — плавление; — температура плавле ния. температура поверхности теряется на возбуждение электронной системы, причем этот эффект наиболее значителен на поверхности и экспоненциаль* но уменьшается с глубиной. Характеристическая глубина поглощения, на которой происходит выделение энергии, обычно ^0,1 мкм. Для каждого источника энергия электронов быстро превращается в тепловук энергию решетки, типичное время электрон-фононной релаксации ^ 1 ПС [14]. Во всех примерах, которые будут обсуждаться в данной главе, для импульсного нагрева используются электронные или лазер-ные пучки. При импульсном нагреве металлов имеются три наиболее важных различия между электронными и лазернымя пучками, которые иллюстрируются рис. 11.1, а—в. В процессе исследования алюминия и его имплантированных сплавов основное различие при облучении рубиновым лазером (Я = 0,69 мкм) и электронным пучком с энергией 10... 50 кэВ заключается в достигаемых скоростях закалки (см. рис. 11.1, в). Это различие прямо вытекает из разности глубин, на которых происходит выделение энергии,, (см. рис. 11.1, б). Для электронных пучков с энергией 20 кэВ, длительностью импульса т = 50 не и толщиной слоя, в котором происходит основное выделение энергии — 1 мкм, скорость закалки определяется главным образом толщиной этого слоя. Эта толщина определяет результирующие температурные градиенты в твердой фазе, а следовательно, время, необходимое для отвода теплоты из этой области. Скорости охлаждения в жидкой фазе непосредственно после окончания импульса составляют 10^... 10^ К/с [15], близкие значения скорости охлаждения обнаруживаются и в твердой фазе сразу после перекристаллизации. Уменьшение длительности импульсов не приводит к существенному увеличению скорости закалки до тех пор, пока не уменьшается толщина слоя, в который вводится энергия Для импульсных электронных пучков толщина этого слоя ОН' 302 т,ис
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 300 301 302 303 304 305 306... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
