Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 27 28 29 30 31 32 33... 423 424 425
|
|
|
|
превышает lO^'^ см~^ [12]. Процесс релаксации схематически показан на рис. 2.1, б. Роль процессов Оже-рекомбинации иллюстрируется следующим примером [13]: предположим, что лазерный импульс с параметрами 0,2 Дж/см^ и 2 эВ внезапно поглощается в слое толщиной 10~^ см. Концентрация носителей равна б-Ю^^ см^^. Если концентрация носителей остается на этом уровне, оже-рекомбинация за 10-1^ с может уменьшить ее до 6-10^0 см-^ и 99% энергии может быть преобразовано в теплоту. Скорость оже-рекомбинации становится преобладающей при концентрациях выше 10^^ см~^ и поддерживает концентрацию вблизи равновесной. Диффузия носителей протекает в горячем, плотном газе электронов и дырок, образованных во время импульсного облучения полупроводников. Электроны и дырки диффундируют вместе для уменьшения влияния пространственного заряда и этот процесс определяется коэффициентом ам-биполярной диффузии ^10...100 см^/с. Как следствие, энергия лазерного излучения должна передаваться от носителей атомам решетки в пределах характеристической глубины, определяемой в большой мере диффузией носителей, чем коэффициентом поглощения образца. С точки зрения лазерного отжига суммарным эффектом должно быть уменьшение роста температуры и менее эффективное взаимодействие [14]. Диффузия носителей, оцененная при условиях обычного лазерного отжига, оказалась соответствующей коэффициенту поглощения излучения 4-10^ cwK Эффект диффузии носителей определяет верхний предел коэффициента поглощения. До сих пор мы просто резюмировали некоторые концепции, касающиеся поглощения и передачи энергий решетке от возбужденных носителей. Предполагалось, что температура дырочной плазмы может достигать 10^ К, т. е. значения, которое, естественно, не коррелирует с температурой кристалла. При таких условиях лазерный отжиг может протекать в холодной несвязанной решетке {15, 16]. Конечно, не совсем ясно, почему основное время электрон-фононных столкновений 10-1^ с должно так увеличиваться, что подавляется эмиссия фононов и передача энергии решетке во время лазерного импульса. 2.2.2. Эксперименты с измерением параметров в процессе облучения Взаимодействие лазерного пучка с полупроводниками в нескольких экспериментах исследовалось in situ, т. е. с измерением параметров в процессе облучения образцов. Количественно определялись оптические характеристики, температура решетки во время облучения и (недавно) скорость границы раздела между телом н жидкостью во время нагрева и охлаждения [17]. Данные по отражательной способности полупроводниковых поверхностей во время облучения импульсами рубинового лазера были опубликованы более 10 лет назад [18]. Было обнаружено увеличение отражательной способности при плотности энергии выше 29^
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 27 28 29 30 31 32 33... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
