Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 296 297 298 299 300 301 302... 423 424 425
|
|
|
|
обзоре кластерообразование не рассматривалось ввиду ограниченности и отрывочного характера имеющейся информации. Сложность и многочисленность механизмов изменения состава и структуры поверхностных слоев при распылении дают возможность эффективно управлять этими характеристиками Энергия и масса налетающего иона влияют на относительную величину скорости распыления и образования дефектов, а также на величину области нарушений Температура оказывает влияние на время жизни дефектов и, следовательно, на интенсивность радиационно-стимулированной диффузии и сегрегации В работе [57] обнаружено существенное различие в концентрационных профилях легирующих ионов при низких и комнатной температурах Ионы фосфора (125 кэВ), имплантированные в Ni при температуре 90 К, остаются локализованными на глубине, определяемой проективным пробегом и образуют аморфную фазу, если концентрация фосфора превосходит ^20% В случае имплантации ионов Р+ (125 кэВ) при температуре 300 К наблюдается их миграция к поверхности и рост аморфной фазы Ni^ePo 2 от поверхности в глубь мишени по мере увеличения концентрации фосфора на межфазной границе за счет радиационно-стимулированной сегрегации Энергия имплантации достаточно высока, чтобы обеспечить доминирующую роль переноса дефектов на большие расстояния при распылении поверхности. Широкие возможности в выборе энергии, сорта, массы и скорости набора дозы имплантируемых ионов, температуры процесса и послеимплантационного отжига позволяют оптимизировать необходимые свойства поверхности. Наличие таких возможностей важно с точки зрения постановки экспериментов по исследованию сложного явления модификации поверхности при распылении список литературы 1Grove W. R. Phil Mag, 1853, vol 5, p 203 2Varga P., Betz G., Viekbock F. P., eds Symposium on Sputtering, Inst AUgem Physik, Vienna, 1980 3Cobic В., ed Physics of Ionised Gases (SPIG 1980), Boric Kidric Institute of Nuclear Science Belgrade, Yugoslavia, 1980 4Behrisch R., ed Sputtering by Particle Bombardment I Topics in Applied Physics Springer, Berlin, 1981 5GHlam E. J. Chem Phys, 1959, vol 11, p 55 6Андерсен X. X. В сб Взаимодействие атомных частиц с твердым телом Материалы VI Всесоюзной конференции, т 3, Минск, 1981 —320 с 7Но р. s., Lewis j. е., Wndman Н. s., Howard j. к. Surf Sci, 1976, vol 57, p 393 8Ho P. S. Surf Sci 1978, vol 72, p 253 9Rehn L. E., Danyluk S., Weidersich H. Phys Rev Lett, 1979, vol 43, p 1764 10Andersen H. H. In Physics of Ionised Gases (SPIG 1980), В Cobic, ed , Boris Kidric Institute of Nuclear Science ~ Belgrade, Yugoslavia, 1980 11Andersen H. H, Besenbacher G, Goddiksen P. In Symposium of Sputtering, Y Varga, G Betz and F P Viekbock, eds Inst Allgem Physik, Vienna, 1980, p 446 298
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 296 297 298 299 300 301 302... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
