Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 295 296 297 298 299 300 301... 423 424 425
|
|
|
|
сы в той или иной степени изучены экспериментально и теоретически. Подчас это изучение не было непосредственно связано с распылением (например, исследование термической сегрегации и радиационных эффектов в твердых телах). Таким образом, несмотря на то что специальных работ по исследованию модификации поверхностей при распылении выполнено сравнительно мало, достигнуто хорошее физическое понимание всех его составляющих. Проще всего описать распыление при низких температурах, когда работают только атермические процессы, т. е. преимущественное распыление, имплантация атомами отдачи и каскадное перемешивание. В сплаве с первоначально однородным составом преимущественное распыление одной из компонент, перераспределение компонент за счет имплантации атомами отдачи и внедрения распыляющих ионов приводят к формированию слоя измененного состава. Равновесное состояние в мишени устанавливается после распыления поверхности на глубину, в несколько раз превосходящую толщину слоя измененных свойств. Толщина слоя примерно равна проективному пробегу распыляющих ионов, а концентрационные профили определяются каскадным перемешиванием. При повышении температуры увеличивается подвижность радиационных дефектов и параметры слоя с измененным составом (кинетика образования, протяженность, концентрационные профили) определяются адсорбцией Гиббса, радиационно-стимулированной диффузией и сегрегацией. Эти процессы, требующие термически активируемого движения дефектов, могут вызывать нестационарные, направленные противоположно равновесным, изменения состава поверхностных слоев. В равновесном состоянии состав поверхности всегда определяется преимущественным распылением и объемным составом. Глубина измененного слоя при повышенных температурах может на порядки превосходить проективный пробег ионов. Механизм явления связан с радиационно-стимулированной диффузией и сегрегацией, распространяющимися на слои, расположенные на глубине, значительно превышающей область зарождения дефектов. Увеличение толщины модифицированного слоя вызывает возрастание времени установления равновесного состояния. На сегодня хорошо известна физическая суть процессов, ответственных за изменение состава приповерхностных слоев. Вместе с тем еще далека возможность проведения надежных количественных расчетов. Основной причиной является недостаток информации, во-первых, о таких необходимых для расчета параметрах, как энергия образования, движения и связи дефектов, а во-вторых, о процессах образования кластеров дефектов. Кластерообразование обусловливает температурную зависимость структуры стоков дефектов внутри области их генерации и вне ее. В свою очередь, это определяет интенсивность и глубину развития радиационно-стимулированной диффузии и сегрегации. В приведенном 297
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 295 296 297 298 299 300 301... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
