Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 293 294 295 296 297 298 299... 423 424 425
|
|
|
|
но уравнению (10.15) равен 4-10"^^ см^/с При этом для распыления материала на глубину слоя измененных свойств необходимо 250 с. Это значение согласуется со временем установления равновесного состояния (см. рис. 10.4). Таким образом, оценки, описанные в п. 10,2.3, подтверждаются модельными расчетами. Температурная зависимость индуцированного распылением изменения состава иллюстрируется с помощью температурных зависимостей Сси, представленных на рис. 10.6 [55]. При температуре, близкой к комнатной, адсорбцией Гиббса можно пренебречь и Сси монотонно изменяется до достижения равновесного состояния, с увеличением температуры, влияние радиационно-стимулированной адсорбции Гиббса становится сильней; Сси быстро возрастает при кратковременном облучении и дальше уменьшается до достижения равновесного состояния. С увеличением температуры от 20 до 700°С время установления равновесия изменяется от 80 до 10^ с. Этот рост является следствием возрастания толщины равновесного слоя с измененными свойствами при увеличении температуры (см. рис. 8.8). При температуре ниже 100°С подвижность точечных дефектов ограничена и изменение состава поверхностного слоя определяется преимущественным распылением и каскадным перемешиванием. Глубина слоя с измененными свойст W'10^" tc Рис. 10.6. Временные зависимости концентрации меди Сси на поверхности сплава Си — 40% Ni в процессе распыления при разной температуре. Распыление проводилось ионами Аг+ энергией 5 кэВ при интенсивности потока Ф=2,5Х XlQi^ ион/(см2.с). Рис, Ш.7. Отношение интенсивностей Оже-пиков никеля (716 эВ) и меди (920 эВ) /ni/Zcu в зависимости от времени распыления t ионами Аг+ энергией 5 кэА поверхности сплава Си — 40% Ni. Интенсивность потока ионов Ф — = 2,5-10^^ ион/см^, а температура облучения указана на графиках. Столбец точек в правой части рисунка соответствует отношениям интенсивностей в равновесном состоянии {PC) 295
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 293 294 295 296 297 298 299... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
