Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 292 293 294 295 296 297 298... 423 424 425
|
|
|
|
мулированной адсорбции, затем медленно понижается до равновесного состояния. Учет перемешивания уменьшает влияние адсорбции Гиббса (кривая 4). Если учесть только преимущественное распыление, радиационно-стимулированную диффузию и радиационно-стимулированную сегрегацию (кривая 5 на рис. 10.4, см. также рис. 10.5), Ссц будет быстро понижаться до равновесного состояния благодаря доминирующему влиянию сегрегации. Если добавляется адсорбция Гиббса (кривая 6 на рис. 10.4), то эффект радиационно-стимулированной сегрегации маскируется, преобладающей оказывается адсорбция Гиббса, вызывающая на короткое время повышение Ссив дальнейшем доминирующим становится преимущественное распыление. Наконец, с добавлением преимущественного распыления (кривая 7), т. е. с учетом всех механизмов Сси в начальный период возрастает, а затем уменьшается до равновесного значения. Благодаря радиационно-стимулированной сегрегации в период установления равновесия кривая 7 проходит ниже, чем кривая 4. Влияние различных комбинаций действующих механизмов на профиль равновесной концентрации атомов Си при 400''С иллюстрируется зависимостями рис. 10.5, взятыми из неопубликованной работы Лэма и Видерзиха. Так же как и на рис. 10.3, по оси абсцисс используется логарифмический масштаб, подчеркивающий быстрое изменение концентрации вблизи поверхности, а состав первых двух атомных слоев показан ступенчатой кривой. В отсутствие облучения адсорбция Гиббса вызывает сильное обогащение медью поверхностного слоя атомов. Если в расчетах учитывать лишь преимущественную сегрегацию и радиационно-стимулированную диффузию, то придем к выводу об обеднении медью приповерхностной области в процессе распыления. Поверхностная концентрация атомов Си приобретает равновесное значение, определяемое отношением коэффициентов распыления и составом объема материала, независимо от действующих механизмов массопереноса. Учет адсорбции Гиббса вызывает еще большее обеднение приповерхностной области медью. Это обеднение уменьшается на промежуточных глубинах, если учесть радиационно-стимулированную сегрегацию, поскольку суммарный приток атомов Си в область пика нарушений направлен в сторону, противоположную потоку вакансий. Каскадное перемешивание уменьшает градиент концентрации и различие в концентрации между поверхностной "фазой" и объемом материала, снижая таким образом, обеднение медью. Профиль, полученный с учетом всех механизмов, показывает большее снижение концентрации меди в подповерхностной области, чем при учете лишь преимущественной сегрегации и радиационно-стимулированной диффузии. Глубина обедненного слоя определяется интенсивностью радиационно-стимулированной диффузии. При значениях длины затухания б ^300 А, скорости распыления 1,2 А/с коэффициент стимулированной диффузии D соглас 294
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 292 293 294 295 296 297 298... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
