Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 291 292 293 294 295 296 297... 423 424 425
|
|
|
|
распыленного поверхностного слоя. Зависимость скорости распыления от времени обусловлена изменением состава поверхности при распылении. Концентрация атомов Си на поверхности Сси сначала быстро возрастает благодаря адсорбции Гиббса, а затем снижается до равновесного состояния, определяемого соотношением (Ccu/C'Ni)p.c = (/^Ni//?Cu) (Ссц/Сш). в равновесном состоянии состав поверхностного слоя определяется вероятностью распыления компонент сплава рси и рш и объемным составом Сси и Сш, причем, как отмечалось в п. 10.2.1, состав потока распыленных атомов равен объемному составу сплава. Влияние различных процессов на время эволюции поверхностной концентрации и на равновесные профили проиллюстрировано на рис. 10.4 и 10.5. Расчеты были проведены для различных сочетаний преимущественного распыления, перемешивания, радиационно-стимулированной диффузии, адсорбции Гиббса и радиационно-стимулированной сегрегации. На рис. 10.4 показана временная зависимость концентрации атомов меди на поверхности сплава, рассчитанная для температуры 400"С ![42]. В отсутствие облучения адсорбция Гиббса приводит к сильному обогащению атомами Си (массовая доля до 99,1%) наружного атомного слоя (кривая /). При облучении и учете только преимущественного распыления и радиационно-стимулированной диффузии (кривая 2) поверхностная концентрация меди монотонно снижается до равновесного состояния, определяемого отношением вероятностей распыления и объемным составом. Истинное равновесное состояние достигается лишь после того, как скорость ухода атомов Си и Ni из слоя измененного состава компенсируется поступлением этих атомов из объема за счет перемещения слоя измененных свойств, в равновесном состоянии Сси ^43%. При учете адсорбции ГиббсД (кривая 3) Ссп быстро возрастает при кратковременном облучении (1 с) благодаря радиационно-сти комбинаций пяти основных процессов, перечисленных в _ j подписи к рис. Ш.4, на равно _ весный концентрационный профиль меди Сси в случае рас _ пыления при температуре ' 400°С. По оси абсцисс отлове ^ но расстояние от поверхности h\, 1 — механизм АГ в необлучен^юм сплаве Ni—Си; 2 —ПР + РСД; ^ — ПР + РСД + АГ + РСС + КП; 4-ПР + +РСД+АГ+КП; 5 ПР4-РСД+ +АГ+РСС; 5-ПР+РСД-ЬАГ
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 291 292 293 294 295 296 297... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
