Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 290 291 292 293 294 295 296... 423 424 425
|
|
|
|
I 0,1 10° 10^ 60 20 0 Ъ\ ML ( M.I і M 1 t t nl ИП I данным Лэма и Видерзиха, 1981 г.). На верхнем графике {t — = 0) пунктирной линией показано изменение интенсивности образования дефектов /Со по глубине. На приведенных графиках использован логарифмический масштаб, чтобы подчеркнуть различие между быстрым изменением состава вблизи поверхности и медленным на больших глубинах. Состав первых двух атомных слоев (толщина каждого равна 2,06 А) показан в виде ступенек. На рисунке также приведено изменение во времени толщины 100 90 80 10 60 50 kO 30 70 10 — 5 Л / . / \ / Ь 1 1 1 1 1 ! 1 1 .1 і 1 1 1 юЧо^w^^ и Рнс. 10.3. временная эволюция концентрационного профиля атомов медн в сплаве Си — 40% Ni при распылении ионами Аг+ энергией 5 кэВ. Распыление проводится при температуре 400°С и интенсивности потока ионов 2,5 X ХЮ*^ ион/(см2.с). Скорость распыления при концентрации компонент, соответ о ствующей объемной, равна 1,26 А/с. На рисунках показан профиль скорости образования дефектов Kq, выраженной числом смещений на атом в секунду и толщина распыленного поверхностного слоя. Вертикальная штриховая линия соответствует исходной поверхности (ИП), по осям абсцисс отложено расстояние от поверхности л, а по осям ординат — концентрация меди Сси. При времени распыления 4-103 ^ достигалось равновесное состояние Рис. 10.4. Зависимость поверхностной концентрации меди Сси в сплаве Си— 40% Ni от времени распыления с ионами Аг+ с энергией 5 кэВ. Температура распыления Т— 400°С, интенсивность потока ионов ф=2,5-10* ион/(см2-с). Приведенные кривые получены в предположении действия следующих механизмов перемещения атомов (55]: / — адсорбция Гиббса (АГ); 2 — преимущественное распыление (ПР) плюс радиационно-стимулированная диффузия (РСД); 3 —ПР-ЬРСД-ЬАГ; 4 — ПР-ЬРСД+АГ-І-(КО) каскадное перемешивание; 5 — ПР+РСД-ЬРСС (радиационно-стимулированная сегрегация); 6 — ПР+ + РСД-ЬРСС-(-АГ; 7-ПР-ЬРСД-НРСС+АГ-{-КП 292
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 290 291 292 293 294 295 296... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
