Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 289 290 291 292 293 294 295... 423 424 425
|
|
|
|
количестве событий на один атом в секунду). Сомножитель Q введен в уравнения (10.23), чтобы использовать атомные единицы для Cs, iCo, R. Потоки /л, /v, //, как следует из уравнений (10.22), включают вклады термической и радиационно-стимулированной диффузии, а также радиационно-стимулированной сегрегации, но не содержат вклада от каскадного перемешивания при наличии градиента состава. Слагаемое, учитывающее градиент состава, содержится в уравнении (10.23а), в котором Da^^—коэффици^ €нт диффузии, определяемой, как отмечалось в п. 10.2.1, исклю^ чительно процессом смещения, уравнение для 5-атомов не следует включать в систему (10.23), так как оно не является независимым и, если пренебречь незначительной концентрацией дефектов, то Выбирая подходящие краевые и начальные условия, можно получить численные решения (10.23) для зависящих от времени распределений атомов и дефектов [54]. Эффекты преимущественного распыления и адсорбции Гиббса учитываются в предложенной модели при рассмотрении поверхностного слоя как отдельной фазы. Приведенные ниже результаты получены для физических параметров, соответствующих сплаву Си — 40% Ni [55]. Предполагалось, что атомы меди в основном обмениваются с вакансиями. Энергии миграции вакансий по атомам Си и Ni взяты равными 0,77 и 0,82 эВ соответственно. Первое из приведенных значений соответствует энергии миграции вакансий в чистой меди, а второе—миграции вакансий через атомы в сплавах Си—Ni. Энергия междоузельной миграции была взята равной 0,12 эВ для обоих элементов сплава. Данный набор параметров приводит к выводу об обеднении медью поверхности и обогащении области максимальной плотности дефектов. Этот результат соответствует экспериментальным исследованиям радиационно-стимулированной сегрегации в сплавах Си—N1 [56]. При учете адсорбции Гиббса использовалось значение теплоты адсорбции атомов меди, равное—0,25 эВ. Скорости распыления и генерации дефектов, использованные в расчетах, были присущи ионам Аг+ энергией 5 кэВ. Вероятности распыления для Си и Ni составляли соответственно 5,5 и 2,75 атом/ион на единицу концентрации. Профиль распределения дефектов определялся с использованием разложения Эджуорта. Максимум повреждений находится на глубине 7А, а глубина дефектного слоя составляет ^30 А. Считалось, что при плотности потока ионов 2,5-10^^ ион/(см2*с), т. е. 40 мкА/см^, максимальная скорость зарождения дефектов составляла /Со=1 см/атом-с. Коэффициент диффузии, обусловленной каскадным перемешиванием, был взят равным Da^^=30{Ь^/6)Ко, т. е. 30 перемещений ближайших соседей на одно смещение. На рис. 10.3 показано изменение пространственного распределения атомов Си в ходе распыления при температуре 400°С (по 10*291
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 289 290 291 292 293 294 295... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
