Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 288 289 290 291 292 293 294... 423 424 425
|
|
|
|
На сегодня хорошо установлен факт радиационно-стимулированной сегрегации кремния, растворенного в Ni [50]. По неопубликованным данным Рена и Боккио, ими исследовались низкои высокоэнергетические Оже-переходы при распылении мишени из сплава Ni—Si в температурном диапазоне 30.. .600°С. Их результаты показывают, что состав первых нескольких монослоев мало отличается от состава объема сплава во всем диапазоне температур. Это позволяет говорить о несущественности преимущественного распыления сплава. Однако наблюдаемое при повышенных температурах распыления обеднение приповерхностного слоя атомами кремния, свидетельствует о наличии радиационно-стимулированной сегрегации кремния и, возможно, адсорбции Гиббса. 10.3. Модельные расчеты Число экспериментальных данных по исследованию изменения состава при распылении с целью выяснения роли различных физических процессов, обсуждавшихся выше, весьма ограничено. В работах [9, 39, 51, 52] отмечено наличие поверхностной сегрегации Си в сплавах Си—Ni при повышенных температурах. Модель двухступенчатой сегрегации привлечена авторами работ [53] для объяснения результатов по распылению пленок Ni—Au при повышенных температурах. В целом же проведенных экспериментальных исследований недостаточно для однозначных выводов. Поэтому рассмотрим некоторые результаты модельных расчетов [54, 55], которые позволяют лучше понять процессы, происходящие при распылении. Модель расчета основана на анализе системы уравнений связи в частных производных, описывающих пространственное и временное изменение состава сплава и концентрации дефектов при распылении. Модель учитывает преимущественное распыление, каскадное перемешивание, радиационно-стимулированную диффузию, адсорбцию Гиббса и радиационно-стимулированную сегрегацию, но не учитывает имплантацию атомами отдачи. Система уравнений диффузии и скоростей реакции, т. е. уравнений второго закона Фика с учетом источников и стоков, описывающая изменение состава сплава и концентрации дефектов, может быть записана в виде -^f-=-VІ(^/л)-^л^^Cд];(10.23а) дС -^=-V(2/,) + ^o"^;(10.236) -^ = -V(2/,)+^o-/?,(10.23b) где /Со и R — локальные, зависящие от координат скорости генерации и рекомбинации вакансий и междоузлий (выраженные в 290
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 288 289 290 291 292 293 294... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
