Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 287 288 289 290 291 292 293... 423 424 425
|
|
|
|
в гл. 8 также содержится обзор работ по модификации поверхностей сплавов под действием радиационно-стимулированной сегрегации. Сформулируем основные положения радиационно-стимулированной сегрегации в двойном сплаве состава А—В в предположении о возможности разделения потоков дефектов на потоки А-и В-атомов, а также на потоки, идущие по вакансиям v и по междоузлиям і [34]. В принятых допущениях можно записать следующие соотношения для концентрационных зависимостей атомных потоков /л. Jb и потоков дефектов /v. Ji'' ^У,= -(pfлvQ + rfв"Cл)vC, + rfлvQvCд + ^5,C,AC5; (10.22) ^J.^-idAtCA^dsiCn) vCt-dAiC^vCA-dsiCtvCs^ Необходимость введения среднего атомного объема Q обусловлена тем, что все концентрации в уравнениях (10.22) выражены в атомных долях. Коэффициенты диффузии rfлv, ^л/, ^bv, det соответствуют введенным в п. 10.2.3 при обсуждении уравнений (10.10) и (10.12). В частности, dлvCv и dAiCi — парциальные коэффициенты диффузии Л-атомов по вакансионному механизму и междоузлиям, а dAiCA и dfi^Cs —парциальные коэффициенты диффузии междоузлий, мигрирующих соответственно через Ли В-атомы. Первые слагаемые в правых частях уравнений (10.22)—те составляющие потоков компонент, которые обусловлены их собственным градиентом концентрации, вторые и третьи слагаемые — составляющие, обусловленные движением других компонент, например dAvCA^Cv и —dAiCAVCi — потоки Л-атомов, вызванные движением вакансий и междоузлий через Л-атомы. Заметим, что перекрестные слагаемые, описывающие взаимодействие атомов и вакансий, имеют положительные знаки, поскольку движение вакансий вызывает движение атомов в противоположном направлении, и наоборот. Из уравнения (10.22) [34] следует, что увеличение концентрации компоненты л в области стока дефектов, например у поверхности происходит, если dAi/dBLdfiv/dBv, т. е. когда преимущественная миграция междоузлий через Л-атомы перевешивает миграцию вакансий по этому механизму. Наоборот, обеднение области стока Л-атомами происходит при условии ^лг/^ш^лу/^вуПоверхность является важным стоком дефектов при распылении и радиационно-стимулированная сегрегация элемента к поверхности вызовет его потерю даже в отсутствие преимущественного распыления. Как и в случае адсорбции Гиббса, радиационно-стимулированная сегрегация в конечном итоге приводит к обеднению подповерхностной области мишени сегрегирующим элементом до уровня, диктуемого интенсивностью поверхностного распыления и поверхностной концентрацией в равновесных условиях. 10-^1241289
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 287 288 289 290 291 292 293... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
