Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 26 27 28 29 30 31 32... 423 424 425
|
|
|
|
образуются фононы. Процесс передачи энергии носителями решетке можно для простоты охарактеризовать временем релаксации энергии Те. Скорость передачи энергии уменьшается из-за эффектов экранирования при превышении критической концентрации. Расчеты, проведенные в [7], показали, что эта скорость обратно пропорциональна концентрации носителей выше критической величины, которая для кремния равна 2-102^ см"^. В расчетах для оценки порядка величины использовалась следующая зависимость [8]: \ "Крит / J Без учета экранирования Тео^Ю"^^ с. В результате такой передачи энергии решетке электроны достигают дна зоны проводимости, а дырки — вершины валентной зоны. Электроны и дырки превышают равновесную концентраЩїю во время облучения и рекомбинации. Этот процесс можно приблизительно описать выражением -^=Yi" + Y2"^ + Y3"^-(2-1) dt Предполагается, что при разных концентрациях носителей основную роль играют различные слагаемые. При низких концентрациях доминирует первое слагаемое, которое связывается с фонон-но-стимулированной рекомбинацией через глубокие примесные уровни. Параметр 1/у\ соответствует времени жизни неосновных носителей. Второе слагаемое — межзонная рекомбинация, сопровождаемая эмиссией фотонов. Излучательные процессы такого типа весьма маловероятны в материалах с непрямой щелью, таких, как кремний, следовательно, этим слагаемым можно пренебречь. Третье слагаемое существенно при высоких уровнях инжекции. При высоких концентрациях наблюдается прямая рекомбинация электронов и дырок и энергия передается другим электронам (или дыркам), это Оже-процесс. Величина уг имеет порядок Ю"^^ cmVc [9]. Оже-процесс можно описать временем тл, равным отношению концентрации избыточных носителей к скорости ее уменьшения. Когда концентрация электронов и дырок равна тл = 1/(уз/^^), измеренная величина у=:4*10-^^ см^/с [10]. При концентрации 10^° см-^* тл = -=2,5-10-10 с. Достаточно плотная плазма частично экранируется кудонов-ским взаимодействием между носителями, причем экранирование становится существенным при плотностях последних больших, чем 10^1 см-^ [7, И]. Время рекомбинации хл уменьшается с концентрацией носителей и достигает б-Ю-^^ с. Во время лазерного облучения доминирующим механизмом рекомбинации является Оже-процесс с энергетической щелью, определяемой возбужденными свободными носителями, которые передают избыточную энергию решетке путем эмиссии фононов. Расчеты передачи энергии решетке и Оже-рекомбинации показывают, что плотность плазмы не 28
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 26 27 28 29 30 31 32... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
