Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 286 287 288 289 290 291 292... 423 424 425
|
|
|
|
имущественного распыления, как это отмечалось в п. 10.2.1. Однако непрерывный уход элемента А вследствие адсорбции Гиббса требует, чтобы скорости диффузии атомов в поверхностный диффузионный слой атомов из нижележащего были значительно выше скорости распыления поверхности. Используя уравнение (10.15) со значением 6^5 А (два атомных слоя) и полагая скорость распыления равной 1 А/с, можно показать, что адсорбция Гиббса становится существенной, если коэффициент диффузии больше чем ;^5-10~^^ cmVc. в случае металлов такие значения коэффициента диффузии реализуются, как правило, при температуре, примерно равной половине абсолютной температуры плавления Тп. Благодаря усилению термической диффузии при распылении вклад адсорбции Гиббса становится ощутимым при более низких температурах ('^0,ЗГп). Следует отметить, что атермическое перемешивание делает невозможной адсорбцию Гиббса, и в режиме низкотемпературного перемешивания поверхностная сегрегация не происходит. в п. 10.2.1 было показано, что в равновесных условиях состав поверхности определяется преимущественным распылением. Роль адсорбции Гиббса в равновесных условиях сводится к понижению концентрации в слое, примыкающем к поверхности, до значений, позволяющих поддерживать поверхностную концентрацию на уровне, диктуемом преимущественным распылением. 10.2.5. Радиационно-стимулированная сегрегация Как уже отмечалось, при не слишком низкой температуре дефекты, образованные при миграции распыляющих ионов, перемещаются, пока не рекомбинируют или не аннигилируют на стоках типа поверхностей, дислокаций, скоплений дефектов. Пространственное разделение процессов возникновения и аннигиляции дефектов в ряде случаев приводит к появлению постоянных потоков дефектов, например, к поверхности или от области пика разрушений к областям низкой плотности дефектов, лежащих впереди и позади пика разрушения. Движение дефектов вызывает движение атомов. Так, вакансия обменивается местоположением с соседним атомом, атом внедрения перескакивает в соседнее междоузлие, при этом атомы, находящиеся в позиции замещения, могут переходить в положение внедренных, и наоборот. в сплавах, как правило, дефекты перемещаются с помощью атомов одной из компонент. Следовательно, возникает взаимодействие между потоком дефектов и потоком атомов соответствующей компоненты. Существование и взаимодействие потоков дефектов и атомов приводит к неоднородному микроструктурному распределению компонент в сплаве с однородной исходной структурой фаз. Это явление, называемое радиационно-стимулированной сегрегацией, интенсивно изучалось на протяжении последних лет. Большое число исследований по радиационно-стимулированной сегрегации описано в [48, 49]. 288
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 286 287 288 289 290 291 292... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
