Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 282 283 284 285 286 287 288... 423 424 425
|
|
|
|
ухода с поверхности одного из элементов и диффузии в приповерхностную область сплава было изучено теоретически авторами работ [41, 42]. Их результаты были применены к процессам распыления сплавов сначала Пиккерингом, а затем в более корректной форме Хоу. Рассмотрим в весьма упрощенной форме равновесное состояние для получения некоторых достаточно грубых (по порядку величины) оценок, связывающих коэффициент диффузии, толщину слоя измененной концентрации и скорость распыления поверхности двойного сплава. Предположим, что поверхность мишени перпендикулярна к оси Z лабораторной системы координат, а ее положение в момент времени і задается уравнением Zs{i)=Zs{^) -Vvt^ где V — скорость распыления. Обозначим зависимость концентрации Л-атомов в полубесконечной мишени от времени і и глубины залегания z через Сл(г, t). В соответствии со вторым законом Фика взаимосвязь скорости изменения локальной концентрации, градиента концентрации и коэффициента диффузии для z'^Zsit) имеет вид дСА^Са \ ^(10.13) dtdz [ dz ) Как показано в [42], при соответствующем выборе начальных и граничных условий и упрощающем допущении о независимости коэффициента диффузии от z, уравнение (10.13) можно решить аналитически. В случае равновесного состояния решение (10.13) для z'^vt имеет весьма простой вид Сд(г, 0=CH(CA-C^)exp[-(v/^)(z-v/)],(10.14) где Сл — Сд (оо, /) — концентрация атомов Л в однородном сплаве; Са —поверхностная концентрация атомов Л, обусловленная преимущественным распылением, обсуждавшимся в п. 10.2.1. Уравнение (10.14) описывает равновесный концентрационный профиль, перемещающийся в глубь мишени по мере распыления поверхности. Профиль характеризуется экспоненциальным переходом от поверхностной концентрации Сл к объемной Сл. Длина затухания определяется соотношением B = D/v.(10Л5) Хотя предположение о постоянстве коэффициента диффузии при распылении является достаточно грубым, его можно использовать для получения оценок на основе уравнения (10.15). Толщина слоя измененных свойств, характеризуемая б, определяется отношением коэффициента радиационно-стимулированной диффузии D к скорости распыления v, которые зависят от скорости зарождения смещений вблизи поверхности /С. Взаимосвязь скорости распыления и зарождения смещений показана в [18, 19], а в 284
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 282 283 284 285 286 287 288... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
