Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 281 282 283 284 285 286 287... 423 424 425
|
|
|
|
вает число прыжков за время жизни избыточных дефектов. Это снижает вклад радиационно-стимулированной диффузии и доминирующей становится тепловая диффузия. Сделаем несколько замечаний относительно пространственного распределения и глубины проникновения радиационно-стимулированной диффузии, а также относительно влияния конечной скорости распыления на диффузионное перераспределение в приповерхностной области. Скорость зарождения дефектов при ионной бомбардировке зависит от глубины. При большой энергии налетающих ионов (например, превышающей несколько десятков килоэлектронвольт) скорость зарождения дефектов сначала возрастает по мере их торможения, затем проходит через максимум и быстро спадает до нуля в конце трека иона. При низкой энергии ионов максимум скорости зарождения находится вблизи поверхности. В низкотемпературном режиме спонтанной рекомбинации "радиационно-стимулированная" диффузия, как и каскадное перемешивание, ограничена глубиной области зарождения дефектов. При высоких температурах, когда становится существенной миграция дефектов, радиационно-стимулированная диффузия не ограничивается областью их зарождения, а простирается значительно глубже благодаря миграции дефектов в неискаженную область. Эти дефекты дают вклад в стимулированную диффузию до тех пор, пока не аннигилируют на стоках или не рекомбинируют. Время жизни дефектов в неискаженной области значительно выше, чем в области радиационных искажений, и, как следствие, при повышенных температурах интенсивная диффузия обнаруживается на глубинах, значительно превышающих пробег ионов. Авторы работ [9, 39] наблюдали обеднение медью сплава Ni—Си после распыления при повышенных температурах. Глубина обедненного слоя на несколько порядков превышала пробег распыляющих ионов. Наблюдавшиеся диффузионные пробеги оказались значительно выше, чем можно было ожидать для обычной термической диффузии. Как обсуждалось в п. 10.2.1 при распылении однородной толстой мишени из сплава равновесное состояние устанавливается, если состав потока распыляемых атомов соответствует составу сплава. При этом слой измененного состава перемещается в глубь мишени по мере распыления поверхности. Его толщина и распределение компонент определяются диффузионными процессами в приповерхностной области мишени. Ниже обсудим в весьма упрощенном виде протяженность этого слоя и ее взаимосвязь с коэффициентом диффузии при распылении. Преимущественное распыление одной из компонент сплава и образование слоя измененного состава при облучении — не уникальное явление. Нечто подобное происходит при избирательном испарении или электролитическом растворении Zn из сплавов Си—Zn [40]. Образование слоя с измененными свойствами при электролитическом растворении в результате преимущественного 283
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 281 282 283 284 285 286 287... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
