Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 280 281 282 283 284 285 286... 423 424 425
|
|
|
|
сящих от состава сплава и типа дефектов, участвующих в диффузионном процессе. Радиационно-стимулированное увеличение концентрации дефектов строения обсуждалось в [35], а также более детально (и с разной степенью сложности) в многочисленных работах (см. например, [36, 37]), посвященных проблеме распухания при образовании пор. Здесь ограничимся лишь некоторыми качественными замечаниями. В большинстве интересующих нас случаев распыления и ионной бомбардировки быстро устанавливается квазистационарное равновесие концентрации точечных дефектов, при котором количество образующихся дефектов уравновешивается процессами их взаимной рекомбинации, образования кластеров и аннигиляции на стоках. При низких температурах наблюдается высокая концентрация дефектов, а основным конкурирующим процессом является рекомбинация новых дефектов с дефектами, расположенными рядом, которые возникли в результате предшествующих смещений. Этот атермичный в первом приближении процесс накладывается на обсуждавшуюся в предыдущем параграфе "диффузию" перемешиванием, и разделить процессы экспериментально оказывается довольно трудно. Средние расстояния, на которые перемещаются дефекты, между возникновением и аннигиляцией также примерно равны среднему радиусу рекомбинации (точнее говоря, они несколько меньше). Спонтанная рекомбинация оказывается лимитирующим фактором "радиационно-стимулированной" диффузии в области низких температур. При более высоких температурах дефекты с низкой энергией активации успевают совершать несколько термически активированных прыжков, прежде чем аннигилируют или рекомбинируют с ранее существовавшими или новыми дефектами. Увеличение числа прыжков быстро движущегося дефекта между его возникновением и аннигиляцией вызывает ускорение диффузии. Еще больше диффузия ускоряется при температурах, достаточных для подвижности дефектов с большей энергией активации, например, вакансий. С интенсификацией тепловой диффузии дефектов время жизни между их возникновением и аннигиляцией, а следовательно, и концентрация уменьшаются. Тем не менее вклад дефектов в диффузию атомов возрастает, поскольку среднее число прыжков за время жизни больше при меньшей концентрации дефектов вследствие пониженной вероятности рекомбинации. При промежуточных температурах равновесная концентрация дефектов может становиться достаточно низкой, чтобы большинство дефектов аннигилировало на стоках. Если плотность стоков постоянна, среднее число прыжков между возникновением и аннигиляцией не изменяется и, следовательно, вклад в диффузию в этом режиме не зависит от температуры. Наконец, при высоких температурах концентрация вакансий в соответствии с уравнением (10.11) становится большой и ограничи 282
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 280 281 282 283 284 285 286... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
