Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 278 279 280 281 282 283 284... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 10.1. Кривая Аррениуса (1) для константы скорости перемешивания на границе раздела системы Ni—Si ионами Ar+ энергией 250 кэВ. Константа скорости пропорциональна коэффициенту взаимодиффузии. Экспериментальные данные (2) соответствуют термическому вкладу в перемешивание и получены вычитанием атермической компоненты каскадного перемешивания, определенной при низкотемпературных исследованиях, из значений константы скорости i[31] актов соударения следует ожидать образование "хвоста" низкой концентрации. Имплантация атомами отдачи и каскадное перемешивание с хорошей степенью приближения должны быть атермичными процессами, поскольку энергия атомов, участвующих в перемещениях, на много больше энергии тепловых колебаний. Однако, как показали авторы [30, 31], перемешивание на фазовых границах Nb—Si и Ni—Si атермично лишь при температурах ниже 500 и 200 К соответственно. На рис, 10.1 показана кривая Аррениуса для толщины перемешанного слоя h на границе раздела Ni—Si. Полное перемешивание определяется суперпозицией атермичного процесса (штриховая линия) и термически активируемого с энергией активации —0,1 эВ. Авторам [31] удалось показать, что в пределах ошибки эксперимента термический процесс не зависит от скорости набора дозы. Следовательно, обычная радиационно-стимулированная диффузия не объясняет температурную зависимость перемешивания. 10.2.3. Радиационно-стимулированная диффузия Подробные обзоры работ [32] по радиационно-стимулированной диффузии были выполнены в последние годы. Акцентируем внимание на изменении состава приповерхностных слоев при распылении за счет стимулированной диффузии. С несколько иной точки зрения вопрос вкратце рассматривался в гл. 8. При достаточно высоких температурах отдельные точечные дефекты и небольшие скопления вакансий и атомов внедрения становятся подвижными. Движение дефектов реализуется через движение атомов. Установлено, что существует несколько механизмов термической диффузии в кристаллических материалах. В металлах диффузия происходит преимущественно посредством обмена мест 280
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 278 279 280 281 282 283 284... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
