Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 277 278 279 280 281 282 283... 423 424 425
|
|
|
|
На основе анализа динамики молекул Кинг и Бенедек показали, что в области энергий 100...450 эВ (максимальные значения энергии, использовавшиеся при расчете) перемешивание в основном происходит по замкнутым цепочкам. Замкнутые цепочки сме-Щ.ЄНИЙ представляют собой петли, в которых при соударении и последующем "охлаждении" происходит кольцеобразный обмен преимущественно ближайших атомов. Образования вакансий и междуузельных атомов при этом не происходит. В противоположность рассмотренным открытые цепочки смещений ограничены с одной стороны вакансией, а с другой атомом внедрения. Замкнутые цепочки приводят преимущественно к изотропному перемешиванию. Расчеты, основанные на динамике молекул, также показывают, что число обменов ("диффузионных прыжков" между ближайшими или рядом расположенными атомами), необходимых для одного акта перемещения, многократно превосходит число остающихся пар дефектов (примерно в 30 раз). Таким образом, можно считать, что среднее квадратическое диффузионное перемещение атомов составляет х^^30Ь^ в расчете на одну созданную пару дефектов. В приведенном соотношении b означает расстояние между ближайшими атомами твердого тела. Полученная оценка примерно вдвое превышает предлагаемую в [22]. Другими словами, атомарно-четкая граница раздела фаз или деталей структуры уширяется на величину, примерно равную x^'^% т. е. па пять межплоскостных расстояний при дозе облучения, соответствующей одному смещению на атом. Уширение возрастает пропорционально квадратному корню из дозы облучения. Приведенная грубая оценка находится в соответствии с экспериментальными данными [27] по анализу уширения межфазной границы Ge—Si при обработке поверхности распылением. Будучи приблизительно изотропными, случайные блуждания атомов при перемешивании вызывают симметричное уширение узкого маркировочного слоя, введенного в мишень, с другой стороны, имплантация атомами отдачи приводит к смещению центра распределения атомов-меток. Уширение тонких меток различных элементов, введенных в Si, в результате перемешивания экспериментально обнаружено авторами работ [28, 29]. В этих работах показано, что, как и следует из диффузионной модели перемешивания, увеличение полуширины профиля распределения атомов-меток пропорционально квадратному корню из дозы ионов. Видимо, на сегодня отсутствуют экспериментальные данные о миграции меток под действием имплантации атомами отдачи и о дозовой зависимости таких перемещений. Теория говорит, что такая зависимость должна быть линейной. Результаты [24], а также [16] показывают, что анизотропия атомных смещений за счет имплантации атомами отдачи обычно мала в сравнении с изотропными смещениями при перемешивании. Однако при большой энергии первичных 279
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 277 278 279 280 281 282 283... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
