Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 275 276 277 278 279 280 281... 423 424 425
|
|
|
|
соответствует увеличению количества атомов сорта і в плоскости х = хо при перемещении слоя в объем со скоростью V, а второе — их потере за счет распыления. Результирующая скорость накопления имплантированных ионов определяется уравнением ^=у{1_Го}.(10.5) в котором не учитывается отражение ионов. При достижении равновесного состояния выражения, заключенные в уравнениях (10.4) и (10.5)в фигурные скобки, обращаются в нуль. Таким образом, в равновесном состоянии У,:Г,:У,=С1С1С1;(10.6) Vo-h(10.7) т. е. отношение кондентрадіій компонентов в распыляемом потоке оказывается таким же, как в объеме материала. Это совершенно точный результат и важно понимать, что в установившемся режиме поток распыленных атомов не содержит информации о преимущественном распылении и о вторичных процессах, обусловленных изменениями состава мишени под действием распыления. Вместе с тем уравнение (10.2) позволяет получить информацию о преимущественном распылении из данных о равновесном распределении элементов вблизи поверхности. Объединяя (10.2) и (10.6)для полных вероятностей распыления, получаем А :'Р2 : ... = (С?/СО :(10.8) т. е. после достижения равновесного состояния вероятности распыления пропорциональны отношению объемной и поверхностной концентрации рассматриваемого элемента. Отметим, что С? — концентрация 1-й компоненты, полученная усреднением по всей области образования распыленных атомов, и, следовательно, сильно смещенная к первому и второму атомным слоям [20]. Глубина вылета электронов в низко-энергетической Оже-электронной спектроскопии сравнима с глубиной, на которой происходит распыление, поэтому данный метод лучше всего подходит для определения коэффициентов распыления исходя из равновесной концентрации элементов на поверхности твердого тела. Приемлемым методом является также спектроскопия рассеянных ионов (СРИ), которая дает информацию прежде всего о самом верхнем слое. При условии, что рассеивающие ионы, внедрившись в сплав, оказываются достаточно сильно связанными, полную вероятность их распыления можно выразить через равновесную поверхностную концентрацию Ро^уа.(10.9) 277
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 275 276 277 278 279 280 281... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
