Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 274 275 276 277 278 279 280... 423 424 425
|
|
|
|
Вероятность распыления р отдельных компонент сплава определяется прежде всего энергией и моментом, передаваемыми атомам различной массы налетающей частицей, а также поверхностной энергией связи. Зависимость р от массы проявляется не только для атомов различной химической природы, но и для изотопов. Так, в работе [21] обнаружено преимущественное распыление легкого изотопа ^^Са в сравнении с ^^Са, входящих в состав СаРг и других, содержащих Са минералов. Как показано в [6] и неопубликованной работе Зигмунда изложенные результаты хорошо согласуются с теорией распыления. Явление преимущественного распыления в сплавах обусловлено также различием в энергии связи поверхностных атомов. Подробный анализ экспериментальных работ по исследованию преимущественного распыления можно найти в обзоре [6], посвященном распылению многокомпонентных металлов. При обсуждении приведенных данных Андерсен отмечает, что многие результаты по изменению состава приповерхностных слоев облучаемых материалов являются следствием не только и даже не столько преимущественного распыления, сколько одновременного действия распыления и вторичных эффектов, рассмотренных в конце данного параграфа. Сделаем несколько общих замечаний относительно равновесного или стационарного состояния. Установлено [7], что при длительном облучении мишени, представляющей собой сплав с однородным распределением компонент по объему, достигается равновесное состояние, при котором состав потока распыляемых атомов, равен химическому составу объема сплава. Рассмотрим часть мишени, простирающуюся на глубину лго от свободной поверхности х = 0. Начало координат перемещается одновременно с распыляемой поверхностью. Считаем, что глубина Xq выбрана достаточно большой в сравнении с толщиной слоя измененного состава. Поверхность сплава, содержащего п компонент, распыляется со скоростью п v = y 2 ^J^^Jfe-o = y",(10.3) где/—плотность потока распыляющих ионов; со^ — парциальный атомный объем й-й компоненты сплава, а соо и Уо — соответственно парциальный атомный объем и выход распыляющих ионов. Второе слагаемое в уравнении (10.3) представляет собой вклад имплантированных распыляющих ионов в предположении, что в направлении, нормальном к поверхности, успевает пройти их полная релаксация. Суммарная скорость накопления компоненты і в слое 0:^х^Хо выражается соотношением ^ = у {С?(а/2*)-Г,} ,(10.4) где Cf и £2^ — соответственно атомная концентрация компоненты і и средний атомный объем для данного сплава. Первое слагаемое 276
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 274 275 276 277 278 279 280... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
