Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 273 274 275 276 277 278 279... 423 424 425
|
|
|
|
положенных на глубине х^О в свободное пространство {х0) при столкновении с ионом; Са(х) —атомная концентрация компоненты А сплава на глубине х, а Q — средний атомный объем. Введем обозначение рл (л:)—ол (л;)/Q, определяющее вероятность распыления Л-атома в расчете на единицу глубины. Уравнение для выхода Л-атомов теперь может быть записано в виде оо Уа^ [ Ра W с а U)dx-= ^дСХ.(10.2) Хорошо видно различие между первичными и вторичными эффектами в распылении сплава [13]. К первичным относятся эффекты, связанные собственно с соударениями частиц. Все определяющие их физические параметры входят в вероятность распыления рА, зависящую от типа и энергии налетающего иона, типа распыляемого атома, поверхностной энергии и т. д. В общем случае вероятности распыления Pi для различных компонент сплава не равны между собой и, следовательно, происходит преимущественное распыление одной из компонент. Вторичные эффекты процесса распыления входят в уравнение (10.2) через атомную концентрацию Сд, определяющую вероятность того, что данный узел занят Л-атомом. Все упомянутые выше механизмы изменения состава, исключая преимущественное распыление, непосредственное влияние оказывают на концентрацию атомов вблизи поверхности. Например, адсорбция Гиббса Л-атомов к поверхности увеличивает их выход при распылении в сравнении с образцом, обладающим однородным распределением компонент по всему сечению. Аналогично, преимущественная имплантация атомами отдачи [14—17] изменяет состав первоначально однородного сплава вблизи поверхности. Вследствие этого выход распыляемых частиц компонент сплава будет определяться сомножителем Са(х) в уравнении (10.2). С прикладной точки зрения существенно, что, как показано в [18, 19] и более детально в [20], распыленные атомы выбиваются в основном из достаточно тонкого слоя. В случае низкоэнергетического облучения распыление атомов убывает примерно экспоненциально с глубиной, а длина затухания имеет величину порядка двух межатомных расстояний в направлении, перпендикулярном к поверхности. Следовательно, с хорошей степенью приближения интеграл в уравнении (10.2) можно заменить произведением РаСа , где Ра — средняя вероятность распыления налетающим ионом Л-атома, находящегося в поверхностном слое, а Са —средняя атомная концентрация Л-атомов в слое. Толщину слоя точно определить невозможно, однако при вычислении Са она может быть взята равной одному-двум межатомным расстояниям, поскольку значительная часть распыленных атомов принадлежит первому слою. 275
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 273 274 275 276 277 278 279... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
