Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 272 273 274 275 276 277 278... 423 424 425
|
|
|
|
профили элементов мишени зависят от типа сплава, температуры, примесей, энергии и плотности потока распыляющих ионов. В настоящее время достигнуто хорошее качественное и частично количественное понимание отдельных из упомянутых выше механизмов. Однако систематических исследований распыления с учетом всех возможных механизмов и их взаимовлияния не проводилось. Целью данной работы является анализ различных механизмов распыления в рамках простых физических моделей и определение условий их проявления. Результаты соответствующих модельных расчетов и обсуждение эффектов, возникающих при распылении, приведены в п. 10,3. Обсуждение ограничивается металлическими сплавами, для которых образование дефектов и распыление не сопровождается процессами ионизации. Основное внимание уделено изменениям в составе мишени, которые, в свою очередь, связаны с составом потока распыленных частиц. Поэтому интересные работы последних лет, как, например, [6, 10, 11], касающиеся угловой зависимости состава потока распыленных частиц, рассматриваться не будут. Также не будет обсуждаться явление развития поверхностной шероховатости, в частности, образования конусов распыления. Это явление описано в ряде работ, вошедших в труды симпозиума по распылению поверхности [2], а также в обзоре [12]. 10.2. Процессы, вызывающие изменение состава поверхности В этом параграфе рассмотрим отдельные процессы, дающие вклад в изменение состава приповерхностного слоя при распылении. Следует отметить, что на сегодня возможность реализации каждого из процессов подтверждена экспериментально и в некоторой степени обоснована теоретически. Однако их относительный вклад в распыление поверхности не всегда может быть установлен. Начнем с рассмотрения атермических процессов, т. е. процессов, не требующих термической активации (преимущественное распыление, имплантация атомами отдачи, перемешивание), а затем перейдем к процессам, в которых термическая активация является важным компонентом (радиационно-стимулированная диффузия, адсорбция Гиббса, радиационно-стимулированная сегрегация). 10.2.1. Преимущественное распыление Простое определение преимущественного распыления можно ввести следующим образом. Уравнение для числа распыленных Л-атомов сплава в расчете на один налетающий ион запишем в виде 00 Уа^ f ад(х)[Сл(л:)/2]с1х,(10.1) 6 где оаІх) —сечение взаимодействия для перехода Л-атомов, рас-274
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 272 273 274 275 276 277 278... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
