Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 24 25 26 27 28 29 30... 423 424 425
|
|
|
|
2.2. Взаимодействие лазерных пучков с полупроводниками 2.2.1. Поглощение света и передача энергии решетке Взаимодействие фотонов с веществом обусловлено главным образом электронными возбуждениями, в области энергии фотонов от инфракрасных до ультрафиолетовых длин волны в процессах возбуждения участвуют только валентные электроны и электроны проводимости, в металлах свет поглощается свободными электронами (внутризонные переходы), в то время как зона проводимости почти пуста. Межзонные переходы под действием света имеют место, если энергия фотонов больше, чем энергетическая щель между валентной зоной и зоной проводимости, в результате поглощения света образуются электронно-дырочные пары. В элементарных полупроводниках, таких, как германий и кремний, максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости смещены относительно друг друга в пространстве волновых векторов и поэтому наблюдаются непрямые межзонные переходы. Для сохранения момента необходимо поглощение или эмиссия фононов для энергий фотонов, близких к ширине оптически запрещенных зон. Свободные носители и переходы зона —зона иллюстрируются на рис. 2.1. Разупорядоченные полупроводники, такие, как аморфный кремний, имеют электронные состояния внутри энергетической щели, и переходы не требуют сохранения момента. Например, в кремнии при облучении неодимовым лазером на иттриево-алюминиевом гранате (Nd: УЛО, Х=1,06 мкм, £"=1,17 эВ) коэффициент поглощения равен 50 см-^ для кристаллического материала и 10^ см-^ для аморфного [5], ширина запрещенной зоны кремния равна 1,1 эВ. Если концентрация примесей в полупроводниках высока, то электронные свойства изменяются Б результате обрезания зон и уменьшения основной энергетической щели в межзонных переходах. Свободные носители, обусловленные легированием, также вно Рис. 2.1, Схема (а) перехода зона — зона (/) и свободных носителей (2) и Оже-рекомбинация между электронно-дырочной парой и фонон-ными эмиссионными процессами (б): 3 — Оже-электрон; 4 — фононы; 5 — электроны; 6 — дырки; 7 — валентные зоны
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 24 25 26 27 28 29 30... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
