Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 260 261 262 263 264 265 266... 423 424 425
|
|
|
|
Ф, 10''CM О W 20 ЗО 50 60 10 80 90 100 Pt5h% Рис, 97. Измеренное отношение Nsi/A^pt в зависимости от дозы ф при имплантации ионов ксенона энергией 250 и 150 кэВ [28], Штриховыми линиями показаны расчетные составы перемешанных слоев на глубине х=х? Рис. 9.8. Равновесная фазовая диаграмма платина — кремний. Сторона диаграммы, богатая платиной, недавно была дополнена, а со стороны кремния осталась неизменной Образование разупорядоченных или аморфных слоев ионным облучением установлено с высокой достоверностью в работах [29 30]. Следует подчеркнуть, что ионно-лучевое перемешивание может формировать аморфные смеси (богаче кремнием, чем PtSi), расположенные по составу в тех интересных областях равновесной фазовой диаграммы (рис. 9.8), где могут существовать метастабильные фазы. Свободная энергия аморфных слоев в общем случае выше, чем у метастабильных кристаллических фаз. Аморфный сплав может легко трансформироваться в метастабильную кристаллическую фазу, если такая фаза существует и если обеспечивается подвижность атомов. Образование метастабильных фаз в системе платина — кремний демонстрируется схематически на рис. 9.9. Начальной точкой для рис. 9.9 является образец со слоем PtSi толщиной 300 А, образованным в результате нагрева в печи, на кремниевой подложке, ориентированной по направлению 100. Имплантация в образец различных доз ионов ксенона энергией 300 кэВ приводит к образованию аморфных слоев с различным составом. Низкотемпературный отжиг (400''С, 30 мин) приводит к превращению аморфных слоев в различные метастабильные (РІгЗіз и РІ45І9) и стабильные (PtSi) фазы. Например, при низкой дозе (Ф = 4-10^'* см-2) уіосле 262
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 260 261 262 263 264 265 266... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
