Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 258 259 260 261 262 263 264... 423 424 425
|
|
|
|
9.2.3. Двухслойная конфигурация. Система Pt—Si По мере возрастания концентрации примеси в матрице (при увеличении толщины маркированного слоя) наблюдалось, что эффективность перемешивания для системы платина — кремний также растет. Например, при дозе ионов ксенона 2-10^^ см"^ и энергии 300 кэВ, эффективная диффузионная длина в кремнии, у Dt^ = 90А для платинового маркера толщиной ^5А в сравнении со 180 А для маркера толщиной 30 А, Если толщина слоя платины и дальше возрастает, приближаясь к двуслойной конфигурации (слой платины, напыленный на кремниевую подложку) после относительно низких ионных доз формируется даже более толстая прослойка фазы Pt2Si. Для образцов, имеющих двухслойную конфигурацию, явление ионно-лучевого перемешивания совершенно отличается от перемешивания, наблюдаемого для тонких маркированных слоев. Обсудим эксперименты, выполненные на системе платина — кремний [3]. В этом случае образцы состояли из слоя платины толщиной '^470А, напыленного на кремниевую подложку, ориентированную в направлении 100, и эффект ионного пучка исследовался после имплантации ионов аргона, криптона или ксенона, имеющих энергию 300 кэВ, в мишень при комнатной температуре. Перемешивание между платиной и кремнием было обнаружено при очень низких дозах ксенона. Например, перемешанный слой толщиной 300 А и близкий по составу к Pt2Si был обнаружен после имплантации только 1 • 10^^ см-^ ионов ксенона. Толщина перемешанного слоя растет как квадратный корень из общей имплантированной дозы (рис. 9.6) до тех пор, пока слой платины используется в реакции перемешивания. При возрастании дозы состав перемешанного слоя остается относительно постоянным и близким к РІ25і. Как показано на рис. 9.6, кинетика реакции образования РігЗі обусловлена ионным пучком и зависит от массы налетающих ионов. Для данной дозы соотношение толщин образованного слоя РІгЗі равно (3:2,2:1) для ионов ксенона, криптона и аргона, соответственно. Это отношение соответствует соотношению масс ионов ксенона, криптона и аргона (3,2: : 2,1: 1) и соотношению (7,1 : 4 : 1) ядерных энергетических потерь (в кэВ/мкм) для ксенона, крипто Рис. 9.6. Зависимость толщины слоя РІгЗі от корня квадратного из дозы Ф о для пленки платины толщиной 470 А на кремниевой подложке, имплантированной ионами Аг, Кг и Хе при энергии 300 кэВ и температуре 77 К [3] 260
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 258 259 260 261 262 263 264... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
