Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 23 24 25 26 27 28 29... 423 424 425
|
|
|
|
ки ('^Ю^^ЛО^^ К/с). Во время затвердевания граница раздела между жидкой и твердой фазами движется со скоростями нескольких метров в секунду. Эти рассчитанные скорости необходимы для количественной оценки таких процессов, как перераспределение примесей и определение коэффициентов сегрегации, образование ячеек, образование метастабильных фаз и переход из аморфной фазы в переохлажденную жидкость. Все эти вопросы детально рассматриваются в других главах данной книги. В этой главе обсуждаются процессы выделения энергии и тепловые расчеты с учетом основных работ, представленных на конференции в г. Треви, и материала других глав книги. Накопление энергии лазерных импульсов в полупроводниковых кристаллах описывается вместе с недавними экспериментами по измерению температуры в процессе облучения. Главное различие при сравнении эффектов лазерного облучения полупроводников и металлов состоит в разной глубине поглощения света и в том, что распространение теплоты обусловлено различными термическими параметрами. Температурные градиенты во время нагрева и охлаждения и продолжительность нагрева для полупроводников и металлов различны. Связь температурных и концентрационных градиентов (эффект Соре) изменяет распределение примесей в металлах в соответствии с обычным диффузионным уравнением переноса массы, но этот эффект пренебрежимо мал в полупроводниках. Кроме того, температурные градиенты, возникающие при лазерном облучении ниже порога плавления поверхности, могут привести к появлению полей напряжений, способных вызвать пластическую деформацию металлов. В полупроводниках этот эффект, конечно, выражен слабее. Введение энергии и нагрев при импульсном электронном и ионном облучении рассматриваются в разд. 2.4 и 2.5, соответственно. При облучении монохроматическими электронными и ионными пучками выделение энергии происходит на глубинах, определяемых соотношениями для потерь энергии. Взаимодействие определяется главным образом электронной плотностью и массой ядра. Структура поверхности, например присутствие оксидов или различие в типах связей между полупроводниками или металлами, не оказывает такого влияния, как в случае лазерного облучения. Обычно при электронном или ионном облучении глубина прогрева достигает нескольких микрометров, в то время как для лазерного облучения она ограничивается 0,1 мкм. Рассчитанные температурные градиенты как во времени, так и в объеме мишени также ниже, чем для лазерного облучения. Отметим, что хорошим введением в предмет этой главы могут служить гл. 3 и 4 книги "Лазерный отжиг полупроводников" [4].
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 23 24 25 26 27 28 29... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
