Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 256 257 258 259 260 261 262... 423 424 425
|
|
|
|
вались гауссианами (Г), и эффекты перемешивания определялись по увеличению дисперсии кривых. Уширение после облучения маркеров из разных элементов, помещенных в кремний, не чувствительно к массе атомов помеченных слоев (рис, 9.4). Это наблюдение является серьезным доказательством того, что уширение обусловлено главным образом взаимодействием налетающих ионов с атомами матрицы, а не с атомами маркированных слоев. Интересно отметить, что в платине и других силицидообразующих металлах (никель, палладий) после облучения при высоких температурах наблюдаются негауссовские профили, в то время как в несилицидообразующих металлах (германий, олово, сурьма, золото) гауссовские профили наблюдаются вплоть до температуры 523 К. В работах [18, 19] эффекты перемешивания рассматриваются в рамках диффузионной модели, в которой изменения гаус-совской кривой выражались через эффективный коэффициент диффузии и время имплантации. Эгот параметр — квадрат диффузионной длины Dt для ряда различных тонких маркеров имеет следующие характеристики: 1) Dt пропорционален дозе ионов, как в Рис. 9.4. Зависимость параметра перемешивания Ві/ф от температуры для мар о кированных слоев никеля (а) и платины (б) толщиной 10 А, расположенных в о аморфном кремнии на глубине 200 А. Облучение ионами криптона энергией 220 кзВ, дозой 101^ см-2 [щ Рис. 9.5. Зависимость квадрата эффективной диффузионной длины Dt от дозы ионов криптона Ф для различных маркированных слоев в аморфном кремнии SiaM [18]. Энергия ионов 220 кэБ, температура 77 К: / — маркированный слой толщиной 10 А; Sij^p — кристаллический кремний 258
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 256 257 258 259 260 261 262... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
