Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 255 256 257 258 259 260 261... 423 424 425
|
|
|
|
/--'250°С на границе кремний — платина образуется соединение Pt2Si, которое продолжает расти до тех пор, пока полностью не истощится пленка платины. Дальнейший отжиг приводит к образованию PtSi на границе Si/Pt2Si, и этот процесс продолжается до полного превращения PtsSi в PtSi. Конфигурация Si/PtSi затем становится стабильной для дальнейшего стационарного режима отжига вплоть до температур, близких к точке плавления системы. В данном случае интересно объяснить реакции, обусловленные ионным облучением системы платина — кремний, в сравнении с такими же реакциями, наблюдаемыми при стационарных режимах отжига. Ниже будут рассмотрены два типа образцов: 1) тонкий (-^ЮА) маркированный слой платины, введенный в матрицу аморфного кремния; 2) слой плагины (200...400А), осажденный на кристаллическую подложку кремния. 9.2.1. Тонкий маркированный слой. Система Pt—Si Эффекты перемешивания при ионном облучении с использованием тонких помеченных или маркированных слоев (маркеров) использовались в работах [17, 18]. В работе [18] тонкий (^^10А) платиновый маркер располагался на глубине примерно 208 А от поверхности аморфного (испаренного) кремния. Слой аморфного кремния общей толщиной, близкой к 800 А, наносился на подложку из монокристаллического кремния. Ионы инертного газа с энергиями, достаточными для получения пробегов ^1100 А, имплантировались в образец. Температура при имплантации была в пределах 80... 523 К. Профили платинового маркера до ионного облучения и после него измерялись методом резерфордовского обратного рассеяния. Было обнаружено, что начальная ширина платинового маркера увеличивается после ионного облучения, как схематически показано на рис. 9.3. До облучения и после него профили аппроксимиро Рис 9.3. Схема распределения по глубине в матрице концентрации вещества тонких маркированных слоев до облучения (а) и после ионного облучения (б): ^ — маркированный слой 9-1241257
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 255 256 257 258 259 260 261... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
