Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 252 253 254 255 256 257 258... 423 424 425
|
|
|
|
Глава 9. Ионно-лучевое перемешивание Дж. В. Мейеру факультет материаловедения, Корнелльский университет, г. Итака, штат Нью-Йорк С. С. Ло, факультет электротехники и вычислительных машин. Калифорнийский университет, г. Сан-Диего, штат Калифорния По материалам: Дж. А. Дэвис, У. Литтмарк, Л. Марвик, Ф. Сарис, X. Видерзих 9.1. Введение Исследования в области ионно-лучевого перемешивания связаны с изучением изменения состава и структуры двух или многокомпонентных систем под влиянием ионного облучения, в результате этих изменений свойства материалов системы могут быть модифицированы таким образом, что обычными методами иногда достичь этого трудно. С точки зрения атомных столкновений, эффекты ионно-лучевого перемешивания являются результатом взаимодействия па-летаюших частиц с твердым телом. Это явление становится более сложным, когда учитываются термодинамические силы, а эти силы иногда изменяются из-за высоких концентраций дефектов в системе. Ионно-лучевое перемешивание было разработано для получения модифицированных ионным пучком материалов с более высокой концентрацией растворенных примесей при низких ионных дозах, чем можно достигнуть общепринятыми методами высокодозной имплантации [1]. Принцип ионно-лучевого перемешивания, как показано на рис. 9.1, заключается в нанесении слоя материала на подложку (в данном случае наносится пленка золота на медь) и затем в бомбардировке образца ионами, имеющими такую энергию, что их пробег превышает толщину пленки. Концентрация золота, которую можно вывести в медь ионным перемешиванием, значительно превосходит максимальную концентрацию, достижимую прямой имплантацией, когда эффекты распыления в общем случае накладывают ограничения на достижимый концентрационный предел. Другие эксперименты [2], в которых в качестве подложек использовались монокристаллы меди, показывают, что оба метода — прямая имплантация и ионно-лучевое перемешивание — могут быть использованы для формирования твердых монокристаллических растворов замещения золота или палладия в меди. В более ранних работах [3] также продемонстрировано, что силициды могут быть сформированы в результате ионно-стимулированных реакций. Таким образом, с точки зрения модификации свойств материалов можно заключить, что ионно-лучевое перемешивание является заманчивой альтернативой прямой имплантации в случае, когда один из компонентов сплава может быть нанесен в виде тонкой пленки. 254
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 252 253 254 255 256 257 258... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
