Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 22 23 24 25 26 27 28... 423 424 425
|
|
|
|
Глава 2. Поглощение энергии и тепловые потоки при импульсном, лазерном, электронном и ионном облучении Е. Римини, Институт физики, Катания, Италия По материалам: П. Байерщ Л. Ф. Дона далле Розе, /С. В. Дрейпер, Дж, В. Майер, С. 7. Пикро, Б. Стрицкер, М. фон Алмен, /С. 5. Уайт 2.1. Введение Высокоэнергетические методы воздействия, при которых за несколько десятков наносекунд реализуются плотности около нескольких джоулей на 1 см^, в последние годы используются для модификации структуры приповерхностных слоев материалов. Начало этому было положено применением лазеров с модулированной добротностью для отжига повреждений в ионно-имплантиро-ванных полупроводниках. В настоящее время растет интерес к применению этого метода в других областях, таких, как металлургия, поскольку с его помощью можно формировать новые фазы или новые структуры металлов и сплавов. История этого вопроса освещалась в трудах ежегодных конференций Общества по исследованию материалов, начиная с 1978 г. [1—3]. На этих конференциях кроме обсуждения прикладных и фундаментальных аспектов проблемы рассматривались возможности проведения новых исследований. С фундаментальной точки зрения необходимо понять механизмы процессов, посредством которых фотоны, электроны или ионы теряют свою энергию при движении внутри материалов, каким образом эта энергия превращается в теплоту и как теплота распространяется в образце. Импульсное лазерное облучение приводит к перестройке поврежденных слоев полупроводников в результате образования мгновенно расплавленных слоев, толщина которых превышает толщину разупорядочен-ной области. Механизм реализуется при условии, что энергия фотонов, поглощенная электронами полупроводникового кристалла, передается в виде теплоты атомам решетки за очень короткое время. Выделение большого количества теплоты в тонком слое может привести к его расплавлению. На конференции в Треви обсуждался другой возможный механизм лазерного отжига: структура в "холодной" решетке отжигается электронно-дырочной плазмой. Как бы то ни было, результаты большого числа экспериментов, выполненных как во время облучения, так и после него, убедительно показывают, что поверхностные слои расплавляются. Стадии нагрева и охлаждения ассоциируются с высокими температурными градиентами ('^10^...10* К/см) и скоростями закал 24
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 22 23 24 25 26 27 28... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
