Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 245 246 247 248 249 250 251... 423 424 425
|
|
|
|
Совершенно аналогичное перераспределение описано в работе [55], посвященной исследованию ионно-лучевого перемешивания германия в алюминии (рис 8 18) Ее авторами обнаружено аномальное распределение германия по глубине после облучения ионами ксенона при 100°С Это распределение существенно отличается от сличая чисто термической обработки Максимум концентрации германия располагается вблизи центра слоя алюминия Ближе к поверхности содержание германия уменьшается. Полученный результат можно объяснить так же, как и данные Расбриджа [53], если предположить, что максимум концентрации точечных дефектов располагается между глубиной среднего проекционного пробега ионов и поверхностью на том же расстоянии от поверхности, что и спад в наблюдаемом концентрационном профиле германия Рассмотренные выше примеры относятся к случаю макроскопического перераспределения примеси Поскольку при облучении стоки дефектов возникают не только на поверхности, но и в объеме материала, на этих стоках в микромасштабе также происходит перераспределение примеси. Такой вид перераспределения оказывает О 50 100 150 200 250 h им 1-Rp] .-^у J_L О SO 075 aw Ь05 120 £ МзВ Рис 8 17 Профиль распределения германия в образце, облученном до большой цозы (см рис 8 16), полученный методом масс спектрометрии вторичных ионов. На графике видно обеднение германием насыщенного дефектами слоя [53] Рис 8 18 Профили обратного резерфордовского рассеяния от тонкопленочных структур Ge~A\ [55] Облучение ионами Хе+ при 100°С приводит к перераспре-п,елению германия в сравнении с полученным после термического отжига Различие, по видимому, связано с тем же процессом, что отмечался Расбриджем в работе [53], а именно с одновременным действием радиационно стимулированной диффузии и дрейфа примеси в области градиента концентрации дефектов, созданном ионным облучением J ~ исходное распределение германия 2 ~ термообработка при JOO^C, 3 — имплантация Хе-Ь с энергией 300 кэВ до дозы 1 IQis ион/см== при температуре Ш°С 247
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 245 246 247 248 249 250 251... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
