Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 242 243 244 245 246 247 248... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 8.15. Концентрационные профили алюминия, имплантированного за счет атомов отдачи в никель при облучении ионами N энергией 200 кэВ при темпера о туре бОО^С [40]. Исходная толщина пленки алюминия 100 А. Кривая / получена при дозе 4,8-10^^ ион/см^, кривая 2 —при дозе 2,5-10*^ ион/см^. Миграция атомов алюминия в насыщенную дефектами область окончания треков ионов азота о Приводит к уменьшению концентрации алюминия на глубине -^3500 А. Имплантированный атомами отдачи алюминий диффундирует от поверхности бйне около 2000 А и объясняется максимумом концентрации вакансий вблизи пика радиационных дефектов, расположенного в конце треков ионов. Важным преимуществом имплантации атомами отдачи при швышепяоя температуре является возможность глубокого легирования с применением простых ускорителей газовых ионов. Такой метод легирования применялся в [49] для введения олова в железо. Результатом легирования явился рост износостойкости материала. Дирнли и Гудом [50] для определения такого ионного легирования был введен термин "диффузия бомбардировкой". Наконец, следует упомянуть, что обогащение поверхности может происходить не только в твердых растворах, но и в химических соединениях, в готовящейся к публикации работе Вагнера, Рена, Видерзиха методом Оже-спектроскопии исследовались поверхностные слои при бомбардировке ионами аргона, лития, никеля энергией несколько мегаэлектронвольт. Температура процесса была около 520°С, а интенсивность пучка 10~^ смещений на атом в секунду. Обнаружено, что слой толщиной 20... 50 А имеет состав, отличный от стехиометрического. при максимальных изученных дозах концентрация кремния достигала 50%. Механизм обогащения остается непонятным. Однако известно, что радиационно-сти-мулированные дефекты мигрируют в NisSi, поскольку облучение такого материала электронами при высокой температуре вызывает появление дислокационных потерь в упорядоченной фазе. Вероят 244
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 242 243 244 245 246 247 248... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
