Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 241 242 243 244 245 246 247... 423 424 425
|
|
|
|
Полученные соотношения показывают, что полная энергия активации данной скорости роста пленки равна 1/4 энергии миграция вакансий при низкой температуре и —1/2 энергии образования вакансий при высокой температуре. Обе гипотезы согласуются с результатами, представленными на рис. 8.14. Атермическая область, находящаяся в диапазоне промежуточных температур, не показана на рис. 8.14, так как плотность стоков была слишком мала, чтобы оказывать определяющее влияние на аннигиляцию дефектов при любой температуре. Постоянная скорости должна снижаться пропорционально 1/4 скорости образования дефектов в области низкотемпературной рекомбинации, и быть независимой от К в области высоких температур. Экспериментальные результаты (см. рис 8.14) находятся в хорошем согласии с готовящимися к публикации теоретическими предсказаниями Рена. Несмотря на хорошее согласие экспериментальных результатов с изложенной выше Простой моделью, нет полной уверенности, что эта модель действительно верна и применима к анализу роста слоев NisSi на сплаве Ni — Л2,7% Si. Модели, основанные на других механизмах торможения переноса примеси, дают сходные соотношения между толщиной пленки и дозой облучения [46]. Рост слоев NisSi был также использован для получения информации о влиянии массы иона или среднего размера области каскада на генерацию дефектов, достаточную для длиннопробежного перемещения атомов ([48] и упомянутые выше неопубликованные расчеты Рена). Были определены константы роста прн бомбардировке ионами Не^ и Li^ энергией 2 МэВ, Ni^^ энергией 3 МэВ и Кг"^ энергией 3,25 МэВ и плотностью тока, достаточной, чтобы создать такую же, как в расчетах, скорость образования дефектов. Скорости роста снижаются с увеличением массы иона (см. рис. 8.14). Снижение было интерпретировано Реном как результат одновременного ускорения рекомбинации внутри больших, более плотных каскадах и потери свободно перемещающихся дефектов на стоках, возникших в плотных каскадах при образовании кластеров дефектов. Марвик и Пиллер [40] изучали усиление имплантации атомами отдачи алюминия в никель при бомбардировке ионами азота. Полученные авторами профили распределения приведены на рис. 8.15. Форма профиля является результатом действия четырех процессов. Прежде всего алюминий проникает в никель ізследст-вие имплантации атомами отдачи. Далее, под действием обратного эффекта Киркендалла, индуцированного потоком вакансий к поверхности, происходит перенос атомов из тонкого поверхностного слоя. При удалении с поверхности атомы алюминия подверга-отся действию радиационно-стимулированной диффузии в насыщенном дефектами слое. Толщина этого слоя приблизительно равна пробегу ионов азота (см. рис. 8.5, б). Наконец, атомы алюминия удерживаются в этом слое потоком дефектов, вызванных градиентом скорости их образования в конце трека ионов азота. Фактически максимум концентрации атомов алюминия находится на глу 243
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 241 242 243 244 245 246 247... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
