Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 240 241 242 243 244 245 246... 423 424 425
|
|
|
|
сти раздела с выделением имеет вид Csi ~ 0,а на границе раздела матрица —обедненный слой Csi^C^-, где Сг — равновесная концентрация междоузельных атомов в объеме сплава. Таким образом, поток атомов Si к выделениям определяется соотношением ' ^ ^ ^(8.9) dX \Xd J где Dsi —коэффициент диффузии комплексов кремний — междоузлие, в пренебрежении малым количеством примесных атомов в обедненной зоне и переходами через обе ее стороны можем записать условие сохранения примеси в виде (8.10) где СшзЗі и Csi —концентрации кремния в выделениях и объеме сплава. Скорость роста слоя выделений определяется соотношением dt SI ^NIsSl^NiaSi (8.11) Интегрируя, получаем толщину слоя выделений в зависимости от времени или дозы облучения Ф = Кі: ч 1/2 р2 (8.12) T. e. толщина слоя пропорциональна i^^/^ иди при постоянной скорости накопления дефектов К она пропорциональна Ф^/^. Температурная зависимость и зависимость толщины пленки от интенсивности облучения содержатся в сомножителе {D^iCilKy^* Обычная теория скоростей i[47] позволяет получить простые аппроксимации этого сомножителя для низких температур, когда определяющей является рекомбинация дефектов, средних температур (действие стоков) и высоких температур (высокая концентрация тепловых вакансий): [VvAATa)]^/^ —низкая Т\ ^-1/2 _ средняя Т\ I (асГ^^)"^/'-высокая Г. (8.13) В приведенных соотношениях 6— межатомное расстояние; Q — атомный объем; Vv — частота прыжков вакансий; а — константа, связанная с объемной рекомбинацией; — среднее число прыжков, совершаемых дефектом до аннигиляции на стоке; с?^"* — атомная концентрация вакансий при термическом равновесии. Приведенные аппроксимации пригодны, если наименее подвижными дефектами являются вакансии. 242
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 240 241 242 243 244 245 246... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
