Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 239 240 241 242 243 244 245... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 8.14. Скорость роста в зависимости от об-ратной температуры для сплава Ni — 12,7 ат. % Si. Расчетные скорости смещения для различных ионов при 3-10-^с? взяты примерно постоянными (по данным Рена, Вагнера, Окамото и Видерзиха, 1984 г.). Рена, Аварбаха, Роброка и Видерзиха). Однако комплексы кремний — вакансия также могут давать вклад в сегрегацию. Проведенные недавно расчеты [34] дают для энергии связи между вакансией и атомом кремния в никеле значение 0,8 эВ. Результаты исследования образования NisSi при облучении ионами гелия энергией 2 МэВ методом обратного резерфордовского рассеяния приведены на рис. 8.12. На рис. 8.13 показаны зависимости толщины слоя NisSi от корня квадратного из дозы облучения, полученные при разной температуре (по данным Рена, Вагнера, Окамото и Видерзиха). Параболический характер зависимости указывает на то, что скорость роста лимитируется диффузионным процессом. Как следует из рис. 8.14, зависимость константы параболического роста А (наклон прямых на рис. 8.13) от обратной температуры (температурный диапазон 350... 550°С), построенная в полулогарифмическом масштабе, имеет вид прямой. Коэффициент энергии активации равен 0,3 эВ. Пропорциональность массопереноса к поверхности за счет потока дефектов корню квадратному от дозы облучения обнаружена также для сплава Ni—Си в работе [45] и готовящейся к публикации работе Вагнера, Рена, Видершиха. Таким образом, применимость параболического закона к радиационно-стимулированной сегрегации не ограничивается случаями образования поверхностного слоя выделений. Параболический закон роста является следствием ряда ограниченных диффузией процессов переноса. Можно отметить медленный перенос дефектов через выделения, шртос примеси через сильно обедненные примесью области и длиннопробежный перенос из объема сплава [46]. Здесь проиллюстрируем появление параболического закона скорости роста на примере переноса прочно связанных комплексов кремний—^ междоузлия через обедненную кремнием область толщины Xd и формирования слоя NisSl толщиной Х^іфі, Благодаря предположению о сильной связи, направленный к поверхности поток междоузельных атомов захватывает все атомы кремния, появляющиеся на границе. Обедненный слой характеризуется условием О ; Csi ~ С%\ : Q, т. е. концентрация атомов в обедненном слое такова, что можно считать все атомы Si, объединенными в комплексы. Далее, граничное условие на поверхно 241
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 239 240 241 242 243 244 245... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
