Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 238 239 240 241 242 243 244... 423 424 425
|
|
|
|
Детальное исследование кинетики перераспределения примеси в сплавах Ni—Si проведено недавно Реном (неопубликованные данные), который изучал рост пленки NisSi при облучении сплава N1—17,7% Si ионами Не и Li энергией 2 МэВ в температурном диапазоне 345...650°С. Для определения толщины пленки в зависимости от времени (или дозы) использовались обратно рассеянные ионы [41, 42]. Радиационно-стимулированная сегрегация кремния к поверхности вызывает образование сплошной поверхностной пленки NisSi не только в двухфазном сплаве Ni—Si, содержащем ^10% Si, но и в твердых растворах кремния в никеле [43, 44]. По-видимому, обладающие меньшим размером атомы кремния переносятся преимущественно прочно связанными комплексами кремний — междоузлие (гипотеза выдвинута в готовящейся к публикации работе Окамото, ^ О-5 мин 5-15 15-30 7 4 5 -3 1 Ч5-б0мин 45' Ж 300 500 100 900 ЬО пЦ^'/' Рис. 8.12. Спектры обратного резерфордовского рассеяния (Уоб.рас— число имплантаций на капал) прн облучении сплава Ni—12,7% Si ионами Не+ энергией 2 МэВ. Температура облучения бЗС^С, а мощность облучения 3,1-Ю"^ смещений на атом в секунду. Кривые получены при различной длительности облучения (по данным Рена, Вагнера, Окамото н Видерзиха, 1981 г). Рис. 8ЛЗ. Зависимость толщины покрытия NiaSi от корня квадратного из дозы облучения (D^^^, выраженной через d^^^, где d — число смещений на атом в секунду) ионами Не+ энергией 2 МэВ. Мощность облучения 3,1-10-* cf, а температуры облучения показаны на соответствующих кривых. Линейный характер зависимости указывает на то, что скорость роста лимитируется диффузией (по данным Рена, Вагнера, Окамото, Видерзиха, 1981 г.) 240
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 238 239 240 241 242 243 244... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
