Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 237 238 239 240 241 242 243... 423 424 425
|
|
|
|
Сходный эффект перераспределения примеси происходит при имплантации атомов отдачи алюминия в никель при повышенных температурах (рис. 8.11) [40]. В результате увеличивается глубина проникновения атомов алюминия. Первоначально алюминий вводится в никель посредством имплантации атомами отдачи или, другими словами, посредством каскадного перемешивания на границе раздела Al/Ni. Хотя основная часть атомов алюминия остается в пределах весьма небольшой глубины (10 А), эти атомы немедленно подвергаются действию потока дефектов, рожденных бомбардирующим ионом, и начинают "всасываться" в объем материала. Впоследствии они могут подвергаться радиационно-стимулированной диффузии и проникать на значительную глубину. Как было показано, этот эффект особенно заметен при более высоких температурах, что может быть связано с усилением потока вакансий. 8.3.2. Имплантация ионов высокой энергии Распределение дефектов в приповерхностной области при низкоэнергетической и высокоэнергетической имплантации существенно различаются. Максимум плотности дефектов при увеличении энергии ионов от килоэлектронвольт до мегаэлектронвольт перемещается с поверхности на глубину в несколько микрометров. При этом количество дефектов, производимых одним бомбардирующим ионом, возрастает от единиц до нескольких тысяч. При имплантации с низкой энергией на диффузию, усиленную облучением или эффектами, связанными с наличием потока дефектов, большое влияние оказывает распыление поверхности, несущественное при высокоэнергетической имплантации. Радиационно-стимулированная диффузия при низкой энергии особенно велика вблизи поверхности (см. рис. 8.5, а) и затухает в объеме материала по мере того, как диффундирующие из зоны образования дефекты уничтожаются в результате рекомбинации и поглощения на стоках. При высоких энергиях (см. рис. 8.5, б) между областью наибольших радиационных повреждений и поверхностью возникает дополнительная область высокой подвижности атомов. Протяженные потоки дефектов в случае низкоэнергетической бомбардировки зарождаются вблизи поверхности и направлены в основном в глубь материала. В случае высоких энергий становятся существенными также потоки, направленные от области наибольшей концентрации нарушений к поверхности; сегрегация к внутренним стокам, расположенным в области нарушений, может радикально изменить микроструктуру материала, например, за счет появления или перераспределения выделений. В следующем параграфе обсудим стабильность выделений. Высокоэнергетическая имплантация при повышенных температурах вызывает появление приповерхностной области, в которой изменение состава и структуры определяется прежде всего потоками дефектов к поверхности. 239
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 237 238 239 240 241 242 243... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
