Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 236 237 238 239 240 241 242... 423 424 425
|
|
|
|
о 10 20 ЗО kO 50 h,HM 25 50 75 ЮО m Рис. 8.9. Перераспределение марганца при ионном легировании никеля до дозы 2,2-101^ см-2 под действием облучения ионами Ni+ энергией 75 кэВ при температуре 500°С |[39]. Изменение концентрационных профилей (концентрация С в относительных единицах) вызвано комбинацией радиационно-стимулированной диффузии и дрейфа примесных атомов за счет возникающего при облучении градиента вакансий: / — исходный профиль; 2 — после облучения до дозы 1,2 смещений на атом; 5—13,8 смещений на атом (1 смещение на атом соответствует 3,4-10^* ион/см^ при энергии 75 кэВ) Рис, 8.10. Нормализованные концентрационные (концентрация С в относительных единицах) профили при низкотемпературной (45°С, кривая 1) и высокотемпературной (бОС'С, кривая 2) имплантации марганца в никель, показывающие перераспределение марганца при повышенных температурах. Доза легирования составляла 6,4-10*з ^м^^ при низкой температуре облучения и 4,0-10^^ см'^ при высокой. По оси абсцисс отложено время распыления ми, могут вызвать их перераспределение [40]. На рис. 8.10 для сравнения приведены нормализованные концентрационные профили Мп в Ni, полученные при низкой и высокой температурах. При высокотемпературной имплантации конечное распределение Мп отражает наличие нижележащего профиля точечных дефектов. Заметим, что, поскольку концентрация имплантированных атомов на поверхности снижается вследствие дрейфа атомов Мп навстречу потоку вакансий, можно предположить: процесс насыщения примесными атомами удлиняется, а установившаяся, наконец, концентрация возрастает. Экспериментально сделанный вывод пока не подтвержден. о гоо т 600 воа то то tc Рис. 8.1 L Концентрационные профили алюминия в поверхностном слое никеля после облучения поверхностной пленки алюминия о толщиной 100 А ионами Ni энергией 75 кэВ. Температура облучения 500°С. Кривая 1 соответствует дозе 2,4-10^^ ион/см^, кривая 5 — дозе 4,8-10'^ ион/см^, при меньшей дозе легирования поверхностная пленка распылялась не полностью, но с ростом дозы в поверхностном слое остаются лишь имплантированные атомы А1, распределение которых определяется градиентом дефектов. Значения глубины на верхней шкале определены приблизительно [401: — общая концентрация 238
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 236 237 238 239 240 241 242... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
