Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 235 236 237 238 239 240 241... 423 424 425
|
|
|
|
hif ^ Си гіі— 0,8 0,6 боо^с о го'с ^?Q0 msso ~ qWO а 500 V 100 I ;;Li iMiiii I I liimi-LI I LiUli И0 10' 10^ 10' Рис. 8.7. Отношение интенсивностей Оже-іхиков никеля (716 эВ) и меди (920 эВ) imjicn в зависимости от времени распыления / при коыяатпоя тешпергітуре [37]. о Скорость распыления ~6 А/с. Каждый образец предварительно распылялся в течение 2 ч при температуре 300, 400, 500 и 600*'С. Глубина распыленного слоя составляла примерно ^4,3 мкм. Точки на оси ординат соответствуют исходной ловерхности (ИП) Рис. 8.8. Расчетные профили меди в сплаве Си — 40% Ni после бомбардировки ионами Аг+ с энергией 5 кэБ при различных температурах. Интенсивность легирования ф=^2,Ь'І0^^ см-2 щественным распылением, тогда как нижележащий поверхностный слой обеднен медью. Поскольку коэффициент радиационно-стимулированной диффузии возрастает с ростом температуры (см. рис. 8.1), степень обеднения также будет возрастать при повышений температуры. Проследить влияние миграции точечных дефектов на распределение примеси вблизи поверхности можно в экспериментах по диффузии имплантированной примеси при облучеппк ионами основного элемента сплава. Примером может служить рис. 8.9 [39]. Условия эксперимента соответствуют схеме (см. рис. 8.5, а); проективный пробег ионов Ni составлял 180 А. Как видно на рисунке, под действием облучения имплантированный Мп мигрирует в глубь материала и профиль уширяется. По-видимому, перераспределение Мп в Nt происходит под действием обратного эффекта Киркендалла. После облучения до дозы ионов 4,8" 10^^ см~-2 (14 смещений на атом) примесные профили приобретают равновесный характер. Это происходит, когда выравниваются потоки примесных атомов, обусловленные их градиентом и градиентом вакансий [40]. Таким образом, окончательное распределение примеси определяется распределением точечных дефектов. Заметим, что по этой причине концентрационный профиль атомов марганца не может уширяться до бесконечности при облучении низкоэнергетическими ионами. Описанные процессы анализируются в ряде экспериментальных работ, проведенных при легировании никеля различными примесными атомами. Например, при высокотемпературном облучении радиационные повреждения, произведенные облучающими частица 237
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 235 236 237 238 239 240 241... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
