Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 234 235 236 237 238 239 240... 423 424 425
|
|
|
|
8.3. Особенности перераспределения Рассмотрев теорию перераспределения примеси, остановимся на некоторых проявлениях этого эффекта при ионной бомбардировке. Сконцентрируем внимание на работах по ионной бомбардировке в целях модификации материалов. Однако следует помнить, что внимание к процессам перераспределения примесей было стимулировано работами по созданию ядерных и термоядерных реакторов и проблемами стойкости сталей под действием нейтронного облучения. Именно поэтому большинство имеющейся литературы ориентировано на нужды ядерной технологии. Тем не менее большинство экспериментов проведено с ионными пучками и представляет интерес для проблем модификации материалов. Основное различие двух направлений исследования связано с тем, что работы по реакторному материаловедению ориентированы на высокие температуры. 8.3.1. Низкая энергия Первый пример, который рассмотрим, начиная разговор о перераспределении примесей при ионном облучении, в большей степени обусловлен радиационно-стимулированной диффузией, а не перераспределением. Бомбардировка сплавов Ni—Си ионами Аг энергией 5 кэВ при повышенных температурах приводит, как это показано Реном и др. [37, 38], к конкуренции между радиационно-стимулированной адсорбцией Гиббса к облучаемой поверхности и преимущественным распылением атомов меди. Это пример, когда радиационно-стимулированная диффузия делает кинетически возможным процесс, который был бы слишком медленным при недостаточно высоких температурах. На рис. 8.7 представлены концентрационные профили Ni после облучения ионами энергией 5 кэВ при высокой температуре. В соответствии с готовящейся к публикации работе Лэма и Видерзиха эти профили можно объяснить как результат одновременного действия радиационно-стимулированной диффузии, адсорбции Гиббса и преимущественного распыления. Адсорбция Гиббса ведет к увеличению концентрации меди на поверхности, вместе с тем медь более интенсивно распыляется, в результате приповерхностная область обеднена медью. Обеднение характерно для области, в которой существенна радиационно-стимулированная диффузия. Толщина этого слоя значительно превосходит проективный пробег ионов (см. рис. 8.5, а). Таким образом, степень и протяженность области изменения состава возрастают при наличии точечных радиационных дефектов. Анализ, проведенный Лэмом и Видершихом, позволил выяснить вклад отдельных процессов. Показано, что помимо перечисленных определенную роль могут играть каскадное перемешивание за счет смещений и радиационно-стимулированная сегрегация. На рис. 8.8 приведены расчетные концентрационные профили меди в равновесном состоянии. Поверхностная концентрация определяется преиму 236
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 234 235 236 237 238 239 240... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
