Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 233 234 235 236 237 238 239... 423 424 425
|
|
|
|
Градиенты, связанные с наличием стоков. Стоки — области твердого тела, поглощающие и испускающие точечные дефекты. Примерами стоков служат дислокации, границы зерен, свободные поверхности. В условиях термического равновесия испускание и поглощение дефектов происходит с одинаковой скоростью, но при облучении концентрация точечных дефектов оказывается намного выше равновесной и преобладает поглощение на стоках. В непосредственной близости к идеальному или почти идеальному стоку концентрация дефектов близка к равновесной низкотемпературной концентрации. Вследствие этого в окрестности стока возникает градиент плотности дефектов. Сравнительно простым и весьма важным для изучения ионно-лу-чевой модификации материалов примером является возникновение градиента вблизи поверхности. Фактически достаточно рассмотреть более частный случай уменьшения концентрации: дефектов по мере приближения к поверхностям тонкого слоя. Такая ситуация часто встречается в реальных экспериментальных исследованиях. Аналитическое исследование профилей точечных дефектов в описанном случае приведено в работе [10]. На рис. 8.6 показана зависимость потока вакансий через поверхность фольги толщиной 200 А от температуры. Они представляют собой лишь часть вакансий, образующихся в объеме пленки, а их доля определяет степень перераспределения примеси. Скорость накопления разрушений для приведенных на рисунке данных /(=10-^ смещений на атом в секунду. Характер зависимости позволяет сделать ряд важных выводов. Максимальный поток дефектов наблюдается при относительно высокой температуре. При низких температурах большинство дефектов рекомбинирует и лишь назначи-тельное их количество пересекает поверхность фольги, с другой стороны, при высоких температурах почти все радиационно-стиму-лированные дефекты перемещаются к поверхности, однако их число ограничивается большим количеством термически генерированных вакансий, которые делают возможным термическую диффузию примесных атомов, сглаживая, таким образом, градиенты примесных атомов. В результате наиболее интенсивное перераспределение примеси обычно происходит в достаточно узком температурном интервале. Однако из сказанного не следует, что перераспределение примеси не может происходить при комнатной температуре. По-видимому, перенос примеси посредством комплексов примесь — междоузлие в некоторых материалах, например сплавах Ni—Si [36], может происходить при комнатной температуре. Причина заключается в том, что, как уже обсуждалось, при низкой температуре концентрация междоузельных атомов может быть аномально высока. Это способствует образованию комплексов примесного и междо-узельного атома.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 233 234 235 236 237 238 239... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |