Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 230 231 232 233 234 235 236... 423 424 425
|
|
|
|
0,5 Ю 1,5 2,0 2,5 х.ґікм 25 h,HM Рис. 8.3. Изменение концентрационного профиля имплантированного фосфора в кремнии (600 кэВ; Р++; 1,4-Ю^^ см"^) в результате протонного облучения при 695°С (140 кэВ; Н+; 1,1 мкА/см^; облучение в течение 3 ч) (29], Образование при облучении подвижных комплексов с точечными дефектами вызывает обеднение фосфором области высокой концентрации дефектов, расположенной в конце треков ионов на глубине 1,3 мкм Рис. 8.4. Концентрационные профили поверхностного слоя сплава Fe—Сг—N1, подвергнутого облучению ионами никеля энергией 3 мэВ при температуре бОО^С. Плотность разрушений составляла 6 см/(атом'с) [20]. Сплошными линиями показаны результаты расчета в модели обратного эффекта Киркендалла (по данным Хортона и Марвика, 1981 г.) давно ироведеио авторами работы [31]. Миграция такого комплекса происходит в результате последовательности скачков и вращений. Детально механизм изучен лишь в некоторых случаях, например для сплавов А1—Fe [32]. Еще меньше известно о движении междоузлий в концентрированных сплавах и интерметаллических соединениях. Поведение комплекса примесь — вакансия описать легче. Он перемещается вследствие серии обменов между примесным атомом с соседней вакансией и прыжков вакансии между ближайшими к примеси узлами. Расчеты [33, 34] показывают, что в таких комплексах возможны достаточно высокие энергии связи (1 эВ). В ряде случаев не известно, какой вид точечных дефектов ответствен за перераспределение примеси. С практической точки зре-ЛИЯ это не важно поскольку качественные предсказания зачастую могут быть сделаны и без знания типа дефектов. Перераспределение вследствие обратного эффекта Киркендалла. Перераспределение примеси вследствие обратного эффекта Кир ?32
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 230 231 232 233 234 235 236... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
