Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 226 227 228 229 230 231 232... 423 424 425
|
|
|
|
го, захватываются ли вакансии или междоузельные атомы. Как видно на рис. 8.2, междоузельные ловушки с энергией связи менее 2 эВ оказывают слабое влияние при умеренных температурах. С другой стороны, даже слабые вакансионные ловушки значительно уменьшают /)рад. при большой энергии связи ловушек, а также при высоких скоростях образования дефектов ловушки будут заполняться дефектами до тех пор, пока степень заполнения не достигнет 50% {13]. На этой стадии рекомбинация ловушек является основным процессом и коэффициент радиационно-стимулированной диффузии о где а — длина ребра элементарной кубической ячейки; Си — концентрация примеси (ловушек). На рис. 8.2 этому предельному значению соответствует кривая 6. Поскольку при интенсификации процесса образования ловушек концентрация точечных дефектов уменьшается, коэффициент диффузия понижается. В приведенных расчетах предполагалось, что ловушки неподвижны. Подобное утверждение справедливо, если ловушками являются упорядоченные области, межфазные границы, кластеры примесных атомов. Вместе с тем, если в качестве ловушек выступают изолированные примесные атомы, гипотеза об их неподвижности в большинстве случаев неверна. Считают, что атомные ловушки, связанные с дефектами, подвижны, а подобные пары, т. е. примесный атом — точечный дефект, носят название комплексов. Если комплекс подвижен, примесный атом перемещается посредством диффузии комплекса. Коэффициент диффузии кремния в сплаве Ni—Si был определен авторами работы [14]. Скорость диффузии комплекса определяет эффективность ловушкообразованйя-В работе [15] предложена модель взаимного влияния ловушкооб-разования и диффузии примеси, дающая хорошее качественное согласие с экспериментом. Диффузия и распад комплексов — один из механизмов перераспределения примесей под действием облучения, описанного в следующем параграфе. При более низких температурах упрощенная теория не работает, поскольку благодаря кластерообразованию концентрация дефектов достигает насыщения. При этом, как показано на рис. 8.2, коэффициенты диффузии определяются в основном максимальной концентрацией вакансий при расчетных условиях, т. е. при температуре ниже 250°С. Согласно [16] максимальная концентрация вакансий составляет /^0,1%. Поскольку, как следует из приведенных рассуждений, Cv ограничена, концентрация атомов внедрения возрастает. В противном случае большинство этих атомов должно было бы аннигилировать при рекомбинации с вакансиями. Таким образом, при низких температурах следует ожидать преобладания междоузельной диффузии в чистых металлах и сплавах, в которых примесные атомы мигрируют посредством описанного механизма. 22S
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 226 227 228 229 230 231 232... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
